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本发明提供一种应变半导体结构的制作方法，包括有源区定义步骤、外延生长步骤及同位刻蚀步骤，其中，有源区定义步骤包括提供一衬底并形成隔离结构于衬底中以在衬底中隔离出在水平方向上间隔设置的第一有源区与第二有源区；外延生长步骤包括基于第一有源区与第...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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