重置金属栅的方法、半导体器件及电路技术

本发明专利技术提供了一种重置金属栅的方法，包括：形成待重置金属栅结构，所述待重置金属栅结构包括自下向上堆叠设置的第一MOS管结构、第二MOS管结构；刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第一通孔结构，所述第一沟道的外围结构和所述第二沟道的外围结构均包括栅极和介电层，所述介电层环绕所述栅极设置；沉积二氧化硅，然后在所述二氧化硅上形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第二通孔结构；沉积金属，以形成连通所述第一沟道的外围结构的金属接触结构，实现了分离栅结构。本发明专利技术还提供了一种半导体器件及电路。种半导体器件及电路。种半导体器件及电路。

【技术实现步骤摘要】
重置金属栅的方法、半导体器件及电路


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种重置金属栅的方法、半导体器件及电路。

技术介绍

[0002]现阶段集成电路工艺的发展遇到了一些瓶颈，随着晶体管尺寸逐渐接近物理极限，量子效应和寄生效应引起功耗密度增加，导致晶体管尺寸等比例微缩的研发难度与成本越来越高。因此，近几年集成度的提高速度已经逐渐落后于“摩尔定律”的预测，产业已经进入了“后摩尔时代”。
[0003]目前在2/3nm节点出现了互补式场效应晶体管(CFET，ComplementaryFET)，命名中去掉了“MOS”是为了与NMOS管和PMOS管单独制造的CMOS作区分。CFET将原本平面的CMOS单元对折，变为相互堆叠的P器件和N器件，同时形成共栅结构。
[0004]由于CFET将原先半导体平面器件变为垂直向的立体器件，P和N器件可以根据具体电路逻辑的需要，构成共栅结构或分离栅结构。一般电路中，会不可避免地存在分离栅结构。
[0005]因此，有必要提供一种新型的重置金属栅的方法、半导体器件及电路以解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种重置金属栅的方法，其特征在于，包括：形成待重置金属栅结构，所述待重置金属栅结构包括自下向上堆叠设置的第一MOS管结构、第二MOS管结构；刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第一通孔结构，所述第一沟道的外围结构和所述第二沟道的外围结构均包括栅极和介电层，所述介电层环绕所述栅极设置；沉积二氧化硅，然后在所述二氧化硅上形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第二通孔结构；沉积金属，以形成连通所述第一沟道的外围结构的金属接触结构。2.根据权利要求1所述的重置金属栅的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，包括：在所述待重置金属栅结构上涂覆第一光刻胶；对所述第一光刻胶进行曝光，以得到第一光刻胶图案；以所述第一光刻胶图案为掩膜，刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一沟道的外围结构的第一通孔结构。3.根据权利要求1所述的重置金属栅的方法，其特征在于，所述沉积二氧化硅，包括：沉积二氧化硅，以填充满所述第一通孔结构。4.根据权利要求1所述的重置金属栅的方法，其特征在于，所述然后在所述二氧化硅上形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第二通孔结构，包括：在所述二氧化硅上涂覆第二光刻胶；对所述第二光刻胶进行曝光，以得到第二光刻胶图案；以所述第二光刻胶图案为掩膜，刻蚀所述二氧化硅，直至暴露所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱小娜，魏晨程，丁荣正，俞少峰，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：