基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，以多孔莫来石为基底，沉积SiC陶瓷，制备具有层状结构的多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷。由于化学气相渗透（CVI）工艺制备的BN陶瓷晶化程度较低，热处理可改变其晶化程度和微结构，对化学气相沉积（CVD）SiC陶瓷的形核与长大过程起诱导作用，进而调控多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构和介电性能。通过控制莫来石/BN复相陶瓷的热处理温度和时间，优化多孔莫来石/BN/SiC复相陶瓷的微结构、晶化程度和元素组成，制备微结构和介电性能可调的莫来石/BN/SiC复相陶瓷，获得优异的电磁波吸收性能。该方法为基底诱导化学气相沉积硅基陶瓷的制备与性能调控提供了制备方法，有潜力用于制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料。力用于制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料。力用于制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料。

【技术实现步骤摘要】
基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法


[0001]本专利技术属于高温吸波复相陶瓷
，具体涉及不同晶化程度BN基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法。

技术介绍

[0002]雷达探测技术的发展对飞行器的隐身性能提出更高要求，发动机作为隐身飞行器重要的散射源，也是飞行器隐身的关键部件。由于发动机的工作温度高、服役环境复杂，迫切需要研制耐高温承载吸波一体化材料。陶瓷基复合材料具有轻质、耐高温、高强度、高模量、耐磨损、耐腐蚀等优势，成为隐身航空发动机的关键候选材料。
[0003]为了制备承载吸波一体化陶瓷基复合材料及其构件，亟需发展一种介电性能可调控的陶瓷基体。SiC陶瓷作为承载吸波一体化陶瓷基复合材料重要吸波单元，其组分、形貌和晶化程度对陶瓷基复合材料的力学和吸波性能影响都很大。目前，陶瓷基复合材料常用的制备工艺有化学气相沉积法、聚合物浸渍裂解法和反应熔体渗透法。化学气相沉积陶瓷基体是在一定温度和压力条件下，先驱体气源扩散并吸附到基底表面，通过形核、长大等过程在基底表面形成均匀致密的陶瓷，该工艺制备温度低、对纤维损伤小、可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法为不同晶化程度的BN基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，所述方法具体包括以下步骤：步骤（1）以多孔莫来石为基底，在较低制备温度条件下，采用化学气相沉积法制备一定厚度的BN陶瓷，得到多孔莫来石/BN复相陶瓷；步骤（2）在氩气保护下，对所述多孔莫来石/BN复相陶瓷进行不同温度热处理，得到不同晶化程度的多孔莫来石/BN复相陶瓷；步骤（3）以步骤（2）制得的所述不同晶化程度的多孔莫来石/BN复相陶瓷为基底，在一定制备温度条件下，采用化学气相沉积法制备一定厚度的SiC陶瓷，得到吸波莫来石/BN/SiC复相陶瓷。2.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述多孔莫来石的孔隙率为88
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90%。3.根据权利要求1所述的基底诱导化学气相沉积吸波SiC陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述制...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛继梅，刘玉强，侯泽鑫，高源，杨帆，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：