石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法技术

技术编号:36691328 阅读:19 留言:0更新日期:2023-02-27 19:59
本发明专利技术公开了一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括SiC分散

【技术实现步骤摘要】
石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅陶瓷材料改性
,具体地,涉及一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅材料因其具有良好的高温强度、抗氧化性和化学稳定性,其被广泛应用于军工制造、石油化工、半导体材料、电子科技以及航空航天制造等众多高精尖领域。目前,碳化硅材料已经成为一种多个领域不可替代的材料。
[0003]在陶瓷制备领域,碳化硅陶瓷具有脆性大、韧性差的缺点,大多数碳化硅陶瓷的显微结构主要为等轴状和板状晶粒,一般表现为穿晶断裂。石墨烯以优异的力学性能、电学、光学和热学被广泛应用,是一种良好的改性材料,但是石墨烯片层间存在较强的范德华力,极易团聚,导致石墨烯改性的复合材料性能较差,从而限制了石墨烯的应用。
[0004]因此,需要从石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法着手,减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,以拓宽石墨烯在陶瓷中的应用。

技术实现思路

[0005]本专利技术要解决的技术问题在于,提供了一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,通过对制备方法进行控制,减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,提高石墨烯改性复合材料的性能。
[0006]本专利技术提供了一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
[0007](1)SiC分散:按照质量比SiC原粉:B4C:酚醛树脂=1:0.007:0.49的比例称取SiC原粉、B4C及酚醛树脂,加入容器中分散得到SiC浆料;
[0008](2)石墨烯分散:按照质量比SiC原粉:石墨烯:PVA:水=1:(0.01~0.03):0.1:2的比例称取石墨烯,放置于盛有去离子水的烧杯中搅拌,并滴加PVA对石墨烯进行均匀分散,同时搅拌、冰浴超声30min得到石墨烯浆料;
[0009](3)混合分散:将步骤(2)所得的石墨烯浆料滴加到步骤(1)所得的SiC浆料试剂瓶中,混合搅拌后进行冰浴超声30min,得到混合浆料;
[0010](4)粉体制备:向步骤(3)所得的混合浆料中加入碳化硅磨球,并密封试剂瓶瓶口,放置于三维混料机中,高速混料6~10h后分离球料,对浆料进行干燥,并充分研磨后过80目筛,得到粉体;
[0011](5)压制成型:将步骤(4)得到的粉体用铸钢模具在成型压力为140~160MPa下,保压10~50s压制成型,得到坯体;
[0012](6)无压烧结:将步骤(5)压制成型的坯体放入无压烧结炉内,抽真空并充入N2为保护气,在1950~2150℃烧结温度下,保温无压烧结处理30~90min,随炉冷却后得到石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料。
[0013]优选的,所述步骤(1)中质量比SiC原粉:B4C:酚醛树脂=1:0.007:0.49。
[0014]优选的,所述步骤(2)中质量比SiC原粉:石墨烯:PVA:水=1:0.02:0.1:2。
[0015]优选的,所述步骤(4)中碳化硅磨球加入量按照质量比计为SiC原粉:磨球=1:2。
[0016]优选的,所述步骤(5)中成型压力为150MPa。
[0017]优选的,所述步骤(6)中无压烧结炉的升温速率为10~30℃/min。
[0018]优选的,所述步骤(6)中无压烧结温度为2120℃,烧结时间为60min。
[0019]本专利技术的工作原理:本专利技术的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,将石墨烯分散于PVA水溶液中形成石墨烯浆料,使得石墨烯在PVA溶液中形成石墨烯网络,然后将石墨烯浆料加入SiC浆料中进行超声和球磨,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,石墨烯以网络形式掺杂于SiC中。本专利技术利用PVA溶液为分散介质,减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,提高石墨烯改性复合材料的性能。此外,在超声搅拌过程中,利用冰浴减小水温升高对石墨烯结构的破坏。在1950~2150℃烧结温度下制备的碳化硅陶瓷的致密度高,力学性能好,通过实验证明,2120℃时,添加石墨烯改性的SiC陶瓷材料致密度最高,力学性能最佳。
[0020]本专利技术的有益效果:本专利技术的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,可减少石墨烯片层间印范德华力导致的石墨烯团聚现象,使得石墨烯更均匀的分散在SiC浆料中,提高石墨烯改性复合材料的性能。利用该方法所得的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料,既保持石墨烯/碳化硅陶瓷复合材料的抗弯强度稳定,又使复合材料的断裂韧性和硬度有所提高。在保证抗弯强度稳定性的条件下,所制备的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的断裂韧性可达4.87MPa
·
m
1/2
,硬度可达25.08HV。
附图说明
[0021]图1为不同石墨烯添加量下试样的XRD图谱;
[0022]图2为1#试样断口形貌和能谱分析;
[0023]图3为不同石墨烯添加量下烧结试样的断口形貌;
[0024]图4为不同石墨烯添加量复合材料的密度和开口气孔率;
[0025]图5为不同石墨烯添加量复合材料的力学性能。
具体实施方式
[0026]为了使本专利技术技术方案更容易理解,现采用具体实施例的方式,对本专利技术的技术方案进行清晰、完整的描述。
[0027]1.1石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备
[0028]对比例:
[0029]本对比例的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
[0030](1)SiC分散:按照质量比SiC原粉:B4C:酚醛树脂=1:0.007:0.49的比例称取SiC原粉、B4C及酚醛树脂,加入容器中分散得到SiC浆料;
[0031](2)石墨烯分散:按照质量比SiC原粉:PVA:水=1:0.1:2的比例,向盛有去离子水的烧杯中滴加PVA均匀分散,同时搅拌、冰浴超声30min得到浆料;
[0032](3)混合分散:将步骤(2)所得的浆料滴加到步骤(1)所得的SiC浆料试剂瓶中,混合搅拌后进行冰浴超声30min,得到混合浆料;
[0033](4)粉体制备:向步骤(3)所得的混合浆料中加入碳化硅磨球,并密封试剂瓶瓶口,放置于三维混料机中,高速混料6h后分离球料,对浆料进行干燥,并充分研磨后过80目筛,得到粉体;
[0034](5)压制成型:将步骤(4)得到的粉体用铸钢模具在成型压力为150MPa下,保压50s压制成型,得到坯体;
[0035](6)无压烧结:将步骤(5)压制成型的坯体放入无压烧结炉内,抽真空并充入N2为保护气,在2120℃烧结温度下,保温无压烧结处理60min,随炉冷却后得到碳化硅陶瓷材料0#样品。
[0036]实施例1:
[0037]本实施例的石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:
[0038](1)SiC分散:按照质量比SiC原粉:B4C:酚醛树脂=1:0.007:0.37的比例称取SiC原粉、B4C及酚醛树脂,加入容器中分散得到SiC浆料;...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)SiC分散:按照质量比SiC原粉:B4C:酚醛树脂=1:0.007:(0.12~0.49)的比例称取SiC原粉、B4C及酚醛树脂,加入容器中分散得到SiC浆料;(2)石墨烯分散:按照质量比SiC原粉:石墨烯:PVA:水=1:(0.01~0.03):0.1:2的比例称取石墨烯,放置于盛有去离子水的烧杯中搅拌,并滴加PVA对石墨烯进行均匀分散,同时搅拌、冰浴超声30min得到石墨烯浆料;(3)混合分散:将步骤(2)所得的石墨烯浆料滴加到步骤(1)所得的SiC浆料试剂瓶中,混合搅拌后进行冰浴超声30min,得到混合浆料;(4)粉体制备:向步骤(3)所得的混合浆料中加入碳化硅磨球,并密封试剂瓶瓶口,放置于三维混料机中,高速混料6~10h后分离球料,对浆料进行干燥,并充分研磨后过80目筛,得到粉体;(5)压制成型:将步骤(4)得到的粉体用铸钢模具在成型压力为140~160MPa下,保压10~50s压制成型,得到坯体;(6)无压烧结:将步骤(5)压制成型的坯体放入无压烧结炉内,抽真...

【专利技术属性】
技术研发人员:陆有军王斌张明君李茂辉孙文周王楚芸徐佳豪宋武阳
申请(专利权)人:北方民族大学
类型:发明
国别省市:

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