带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导制造技术

本发明专利技术公开了一种带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其包括：衬底层；第一掩膜板以及第二掩膜板；所述第一掩膜板与所述第二掩膜板间隔设置在所述衬底层上，并于间隔处形成波导槽；波导芯层，设置在所述波导槽的底部；第一偏转电极，设置在波导槽内，并位于所述波导芯层上；所述第一偏转电极具有多个弯曲部；第二偏转电极，设置在所述第一掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；第三偏转电极，设置在所述第二掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；馈电组件，分别电连接第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极的两端，以向第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极提供电压。本发明专利技术能有效降低实现光场偏转所需的驱动电压，缩小光波导的尺寸。的尺寸。的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导


[0001]本专利技术涉及光波导器件领域，具体涉及一种带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导。

技术介绍

[0002]在高功率激光驱动的惯性约束聚变(ICF)系统中，需要对激光驱动器的靶面光束进行匀滑处理，因此需要实现光场模式的偏转及光束扫摆。目前，利用机械控制技术、电控液晶技术、声光效应、热光光束偏转技术、光谱色散扫摆技术以及大孔径电光晶体偏转器等技术或器件，均可实现光场模式的偏转及光束扫摆。然而，上述技术或器件存在着驱动电压高，器件体积大、光场偏转依赖光源波长以及扫摆频率低等缺陷。
[0003]为了改善上述缺陷，如图1所示，现有技术提供了一种带有锯齿阵列共面电极的芯层波导，其最大的特点是锯齿形阵列共面电极由一个个三角形电极构成，通过外加驱动电压到锯齿阵列共面电极，在光束传播方向上，波导芯层会形成折射率棱镜阵列，从而使得输出光的光场模式会发生横向偏转。现有技术在一定程度上解决了驱动电压高的问题，但其采用锯齿阵列共面电极形成的折射率棱镜阵列面积低，偏转效率较低；同时锯齿阵列共面电极的尖端部分对高频信号的阻碍较本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，包括：衬底层；第一掩膜板以及第二掩膜板；所述第一掩膜板与所述第二掩膜板间隔设置在所述衬底层上，并于间隔处形成波导槽；波导芯层，设置在所述波导槽的底部；第一偏转电极，设置在波导槽内，并位于所述波导芯层上；所述第一偏转电极具有多个弯曲部；第二偏转电极，设置在所述第一掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；第三偏转电极，设置在所述第二掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；馈电组件，分别电连接第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极的两端，以向第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极提供电压。2.根据权利要求1所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，还包括：缓冲层，设置在所述波导芯层与所述第一偏转电极之间；所述缓冲层由二氧化硅制成，厚度介于0至600nm之间。3.根据权利要求1所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，所述衬底层为铌酸锂晶片，所述波导芯层为基于退火质子交换技术形成的铌酸锂波导芯层，其横截面呈半圆形。4.根据权利要求1所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，所述波导槽以及所述波导芯层均成喇叭状。5.根据权利要求4所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，所述波导芯层包括光输入端以及光输出端，且在光输入端与光输出端之间依次形成光束输入区、光束过渡区和光束调制区；其中，所述光束过渡区的横截面积随光传输方向逐渐增大；所述光束输入区的宽度等于所述光束过渡区的起始段的宽度，所述光束调制区的宽度等于所述光束过渡区的末尾段的宽度；所述第一偏转电极设置在所述光束调制区处；所述第二偏转电极以及第三偏转电极设置在光束调制区的两侧。6.根据权利要求5所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，光束输入区的长度为5mm，宽度为8μm；光束调制区的长度为10.5mm，宽度为80μm；光束过渡区的长度为5mm。7.根据权利要求4所述的带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其特征在于，所述波导芯层包括光输入端以及光输出端，且在光输入端与光输出端之间依次形成光束输入区、光束过渡区、光束模式选择区、光束调制区和延长区；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟永春，成泓道，陈哲，朱文国，余健辉，郑华丹，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：