抗辐射硅基二氧化硅光波导器件制造技术

本公开提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率大于所述下包层(2)和上包层(4)的折射率，所述芯层(3)、上包层(4)和下包层(2)的材料为掺杂氟的二氧化硅材料。该抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，在芯层和上下包层中掺杂氟，氟的引入增大较高能量状态缺陷结构的断网几率，随着氟含量的增加，缺陷浓度将随之下降，缺陷吸收能显著降低，减少了辐射致衰减带来的光损耗，提高了光波导器件的抗辐射性能。提高了光波导器件的抗辐射性能。提高了光波导器件的抗辐射性能。

【技术实现步骤摘要】
抗辐射硅基二氧化硅光波导器件


[0001]本公开涉及光子集成领域，尤其涉及一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件。

技术介绍

[0002]硅基二氧化硅光波导器件具有损耗低、集成度高、成本低以及易于大规模生产等优势，已被广泛用于光通信和光传感等领域。但是在空间等辐射环境下，辐射会导致二氧化硅光波导中形成色心，其本质上是辐射引起的点缺陷，色心会强烈吸收二氧化硅光波导器件中的传导光，从而产生辐射致衰减(RIA)，导致器件性能显著下降。目前针对光波导器件的抗辐设技术研究较少，因此亟需专利技术一种具有抗辐射特性的硅基二氧化硅光波导器件。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，以解决硅基二氧化硅光波导器件在受到较高剂量辐照后仍保持一定的性能。
[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，包括：衬底；下包层，生长在所述衬底上；芯层，生长在所述下包层上，在所述芯层中设有光波导器件；上包层，生长在所述芯层上；其中，所述芯层的折射率大于所述下包层和上包层的折射率，所述芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，包括：衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率大于所述下包层(2)和上包层(4)的折射率，所述芯层(3)、上包层(4)和下包层(2)的材料为掺杂氟的二氧化硅材料。2.根据权利要求1所述的一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔鹏伟，王玥，张家顺，安俊明，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：