一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法，SiC纳米线呈核壳结构，其包括内层的SiC芯层以及包覆在SiC芯层外的SiO2层；其多孔SiC纳米线薄膜由若干SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕并相互无序搭接，且在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成。本发明专利技术中的多孔SiC纳米线薄膜由SiC纳米线相互无序搭接而成，具有非常高的强度和柔韧性；该SiC纳米线薄膜无分层，SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕，在相互搭接处由SiO2层相互熔合而成，无明显界面。本发明专利技术中的超声分散和真空抽滤成膜技术能有效保障SiC纳米线均匀分布，解决连接层纳米线分布不均匀的问题。决连接层纳米线分布不均匀的问题。决连接层纳米线分布不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及SiC纳米线薄膜制备
，更具体地说，本专利技术涉及一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]SiC材料具有优异的抗热震性能、抗氧化、热传导率高、热稳定性好、耐化学腐蚀好等优异物理化学性能。SiC纳米线是由SiC晶体组成的一维纳米材料，除了具有SiC晶体具有的稳定的物理化学性能外，在光、电、磁和机械等方面的性能都优于SiC块体材料。
[0003]利用SiC纳米线结构进行纳米组装制备薄膜材料已经成为材料科学领域中最重要的部分之一。通过SiC纳米线与其环境直接或间接相互作用，实现SiC纳米线自发的变化功能性特定系统。对于这些系统的研究，能够为开发其在光、电、磁等应用方面提供很多思路。同时，SiC纳米线薄膜的组装过程也与热力学平衡保持着直接或者间接的关系。SiC纳米线薄膜具备了光、电、磁以及催化性能，这不仅仅是因为表面积
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体积比的明显增加，也是由于交叉线的排列引发的集体纳米尺寸性质的出现。为了可以在宏观尺度上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜，所述SiC纳米线呈核壳结构，其包括内层的SiC芯层以及包覆在SiC芯层外的SiO2层；其特征在于，所述多孔SiC纳米线薄膜由若干SiC纳米线在同一平面内上下交错缠绕并相互无序搭接，且在相互搭接处由所述SiO2层相互熔合而成。2.根据权利要求1所述的具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜，其特征在于，所述SiC纳米线的结构为长条状、串珠状、锯齿状、螺旋状中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜，其特征在于，所述的SiC纳米线的直径为50
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500nm，长度为0.01
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10mm；所述SiO2层的厚度为1
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100nm。4.根据权利要求1所述的具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜，其特征在于，所述多孔SiC纳米线薄膜的厚度为0.1
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3mm，孔隙率为80%
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99%。5.一种采用如权利要求1
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4任一所述的具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01、采用碳热还原工艺制备预设量的SiC纳米线；步骤S02、将步骤S01中制备的SiC纳米线进行超声清洗并干燥；步骤S03、将步骤S02中干燥后的SiC纳米线放入加热设备中进行加热并氧化处理；步骤S04、将步骤S03氧化处理后的SiC纳米线置于去离子水中进行超声分散，形成均匀分散的混合溶液后，倒入成膜设备中进行真空抽滤，形成SiC纳米线薄膜；步骤S05、将步骤S04中制备的SiC纳米线薄膜剥离，待SiC纳米线薄膜干燥后，置于上下两块已抛光的石墨模具中间进行固定；接着将模具整体放入热压炉中进行高温热压成型，随后降温至预设温度时开始泄压；步骤S06、热压炉降至室温后取出产物，得到具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜。6.根据权利要求5所述的具有高柔韧性的多孔SiC纳米线薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤S01中，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，窦强，杨建，李权，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：