访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统制造方法及图纸

公开了访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统。所述方法包括激活存储器单元的多个行中的特定行，以及响应于确定集中激活发生在特定行而翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位。器单元中的数据位。器单元中的数据位。

【技术实现步骤摘要】
访问存储器单元的方法、半导体存储器装置和存储器系统
[0001]本专利申请要求于2021年8月24日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0111938号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]在此描述的本公开的实施例涉及一种电子装置，更具体地，涉及用于在特定存储器单元行被频繁激活时防止邻近存储器行中的数据丢失的方法及执行所述方法的半导体存储器装置。

技术介绍

[0003]半导体存储器装置可包括按行和列布置的存储器单元。当激活或访问存储器单元的特定行时，在特定行中的存储器单元处可发生电压变化。电压变化可对与特定行邻近的行中的存储器单元造成应力。该应力可导致存储在邻近行中的数据丢失或改变。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例提供了一种能够补偿或抑制来自特定行中的存储器单元的集中激活的应力的方法和半导体存储器装置、以及包括其的存储器控制器的操作方法。
[0005]根据一个实施例，一种用于访问按行和列布置的存储器单元的方法包括：激活本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于访问按行和列布置的存储器单元的方法，所述方法包括：激活存储器单元的多个行中的特定行；以及响应于确定集中激活发生在特定行，翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位。2.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于确定集中激活发生在特定行而翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位的步骤包括：响应于确定特定行被激活的次数或特定行被激活的频率达到阈值，翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位。3.根据权利要求2所述的方法，还包括：响应于确定集中激活连续发生在特定行，减小所述阈值。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：响应于确定存储在特定行的相邻行中的至少一个的存储器单元中的数据位被刷新，将所述阈值初始化为初始值。5.根据权利要求2所述的方法，还包括：响应于确定存储在特定行的相邻行中的至少一个的存储器单元中的数据位被刷新，初始化特定行被激活的次数或特定行被激活的频率。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：响应于确定集中激活发生在特定行，刷新存储在与特定行邻近的相邻行的存储器单元中的数据位。7.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于确定集中激活发生在特定行而翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位的步骤包括：响应于确定集中激活连续发生在特定行，交替地执行翻转存储在特定行的存储器单元中的数据位的操作和刷新存储在与特定行邻近的相邻行的存储器单元中的数据位的操作。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，还包括：存储指示存储在特定行的存储器单元中的数据位是否由于翻转而被反相的数据位的信息。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：接收与特定行的存储器单元中的至少一些存储器单元相关联的写入命令和写入数据；以及基于所述信息选择性地对写入数据进行反相，以便被写入存储器单元中的所述至少一些存储器单元。10.根据权利要求8所述的方法，还包括：接收与特定行的存储器单元中的至少一些存储器单元相关联的读取命令；从存储器单元中的所述至少一些存储器单元读取数据；以及基于所述信息选择性地对读取数据进行反相并输出。11.一种半导体存储器装置，包括：垫，被配置为与外部装置连接；存储器单元阵列，包括按行和列布置的存储器单元；感测放大器，通过位线与存储器单元的列连接；行解码器，通过字线与存储器单元的行连接；
缓冲器电路，连接在感测放大器与所述垫之间；以及控制逻辑，其中，响应于确定激活命令被接收，行解码器激活存储器单元的多...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋元亨，柳廷旻，赵诚珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：