半导体封装制造技术

一种半导体封装，包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在第一重分布衬底上，该下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构和第二下导电结构，在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开；上半导体芯片，在下半导体芯片和第二下导电结构上，该上半导体芯片耦接到通孔和第二下导电结构；以及上导电结构，在第一下导电结构上。第二下导电结构的宽度大于通孔的宽度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年8月24日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0111542的优先权，其整体公开一并于此以作参考。


[0003]本公开涉及半导体封装，更具体地，涉及包括重分布衬底的半导体封装。

技术介绍

[0004]提供半导体封装以实现用以有资格用于电子产品中的集成电路芯片。半导体封装通常被配置为使得半导体芯片安装在印刷电路板上，并且接合线或隆起焊盘用于将半导体芯片电连接到印刷电路板。随着电子工业的发展，已经进行了各种研究以提高半导体封装的可靠性和耐用性。

技术实现思路

[0005]本公开的一些实施例提供了一种具有改善的电学和热学特性的半导体封装。
[0006]根据本公开的一些实施例，一种半导体封装可以包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在第一重分布衬底上，该下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构和第二下导电结构，在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开；上半导体芯片，在下半导体芯片和第二下导电结构上，该上半导体芯片耦接到通孔和第二下导电结构；以及上导电结构，在第一下导电结构上。第二下导电结构的宽度可以大于通孔的宽度。
[0007]根据本公开的一些实施例，一种半导体封装可以包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在第一重分布衬底上，该下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构，设置在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开；第二下导电结构，设置在第一重分布衬底上并与下半导体芯片和第一下导电结构横向间隔开；上导电结构，在第一下导电结构上；以及上半导体芯片，在下半导体芯片的顶面和第二下导电结构的顶面上。上半导体芯片可以与通孔和第二下导电结构耦接。
[0008]根据本公开的一些实施例，一种半导体封装可以包括：第一重分布衬底，包括第一介电层、第一种子图案和在第一种子图案上的第一重分布图案，该第一介电层包括可光成像聚合物；焊球，在第一重分布衬底的底面上；下半导体芯片，在第一重分布衬底的顶面上，该下半导体芯片包括下焊盘、通孔和上焊盘；多个下导电结构，设置在第一重分布衬底上并与下半导体芯片横向间隔开，该下导电结构包括彼此间隔开的第一下导电结构和第二下导电结构；上导电结构，在第一下导电结构上；上半导体芯片，在下半导体芯片的顶面和第二下导电结构的顶面上，该上半导体芯片与上导电结构横向间隔开；多个第一焊料凸块，在下半导体芯片与上半导体芯片之间，该第一焊料凸块与上焊盘和上半导体芯片耦接；第二焊料凸块，在第二下导电结构与上半导体芯片之间，该第二焊料凸块与第二下导电结构和上半导体芯片耦接；以及下模塑层，在第一重分布衬底上，该下模塑层覆盖下半导体芯片的侧
壁和下导电结构的侧壁。下焊盘可以在下半导体芯片的底面上。通孔可以在下半导体芯片中并且可以耦接到下焊盘。上焊盘可以在下半导体芯片的顶面上并且耦接到通孔。
附图说明
[0009]图1A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0010]图1B示出了沿着图1A的线I
‑
II截取的截面图。
[0011]图1C示出了表示图1B的部分III的放大图。
[0012]图1D示出了表示图1B的部分IV的放大图。
[0013]图2A至图2G示出了表示根据一些实施例的第一下导电结构和上导电结构的截面图。
[0014]图3A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0015]图3B示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0016]图4A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的平面图。
[0017]图4B示出了沿着图4A的线I
‑
II截取的截面图。
[0018]图5A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0019]图5B示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0020]图6A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0021]图6B示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0022]图7A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0023]图7B示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0024]图7C示出了表示根据一些实施例的半导体封装的截面图。
[0025]图8A至图8M示出了表示根据一些实施例的制造半导体封装的方法的截面图。
具体实施方式
[0026]在本说明书中，相同的附图标记可以表示相同的组件。下面将描述根据本公开的半导体封装及其制造方法。
[0027]图1A示出了表示根据一些实施例的半导体封装的平面图。图1B示出了沿着图1A的线I
‑
II截取的截面图。图1C示出了表示图1B的部分III的放大图。图1D示出了表示图1B的部分IV的放大图。
[0028]参考图1A至图1D，半导体封装10可以包括第一重分布衬底100、焊球500、下半导体芯片210、上半导体芯片220、第一下导电结构311、第二下导电结构312、上导电结构320、第一焊料凸块521、第二焊料凸块522、下模塑层410、上模塑层420和第二重分布衬底600。半导体封装10可以是下封装。
[0029]第一重分布衬底100可以包括第一介电层101、凸块下图案120、第一重分布图案130、第一种子图案135、第一种子焊盘155和第一重分布焊盘150。第一介电层101可以包括诸如可光成像电介质(PID)的有机材料。可光成像电介质可以是聚合物。可光成像电介质可以包括例如选自光敏聚酰亚胺、聚苯并恶唑、酚醛聚合物和苯并环丁烯聚合物中的至少一种。可以设置多个第一介电层101。堆叠的第一介电层101的数量可以不同地改变。例如，多个第一介电层101可以包括彼此相同的材料。可以在相邻的第一介电层101之间设置模糊的
界面。
[0030]第一方向D1可以平行于第一介电层101中的最下面第一介电层的底面101b。第二方向D2可以平行于最下面第一介电层101的底面101b，并且可以基本上与第一方向D1正交。第三方向D3可以基本上与第一方向D1和第二方向D2垂直。
[0031]凸块下图案120可以设置在最下面第一介电层101中。凸块下图案120的底面可以不被最下面第一介电层101覆盖。凸块下图案120可以用作焊球500的焊盘。凸块下图案120可以彼此横向间隔开并且彼此电绝缘。短语“两个组件彼此横向间隔开”可以意味着“两个组件彼此水平地间隔开”。术语“水平的”可以指示“与第一重分布衬底100的底面或与第一方向D1平行”的含义。第一重分布衬底100的底面可以是最下面第一介电层101的底面。第一重分布衬底100的底面可以包括最下面第一介电层101的底面101b和凸块下图案120的底面。凸块下图案120可以包括金属材料，例如铜。
[0032]第一重分布图案130可以设置在凸块下图案120上并且电连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在所述第一重分布衬底上，所述下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构和第二下导电结构，在所述第一重分布衬底上并与所述下半导体芯片横向间隔开；上半导体芯片，在所述下半导体芯片和所述第二下导电结构上，所述上半导体芯片耦接到所述通孔和所述第二下导电结构；以及上导电结构，在所述第一下导电结构上，其中所述第二下导电结构的宽度大于所述通孔的宽度。2.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：多个第一焊料凸块，在所述下半导体芯片与所述上半导体芯片之间；以及第二焊料凸块，在所述第二下导电结构与所述上半导体芯片之间。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中：所述第二下导电结构的顶面在与所述下半导体芯片的顶面的水平基本相同的水平处，并且所述第二焊料凸块的宽度大于所述第一焊料凸块的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述通孔是信号通孔，并且所述第二下导电结构被配置为接收电压。5.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：下模塑层，在所述第一重分布衬底上，所述下模塑层覆盖所述第一下导电结构的侧壁、所述第二下导电结构的侧壁和所述下半导体芯片的侧壁；以及上模塑层，与所述下模塑层的顶面接触，所述上模塑层覆盖所述上半导体芯片的侧壁和所述上导电结构的侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上半导体芯片包括：第一部分，在平面图中与所述下半导体芯片重叠并与所述第二下导电结构间隔开；以及第二部分，在平面图中与所述第二下导电结构重叠并与所述下半导体芯片间隔开。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述第二下导电结构的高度与所述第一下导电结构的高度相同，并且所述第二下导电结构的宽度与所述第一下导电结构的宽度不同。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述上导电结构直接接触所述第一下导电结构，所述上导电结构包括与所述第一下导电结构的材料相同的材料，并且所述上导电结构具有与所述第一下导电结构的晶粒不同的晶粒。9.一种半导体封装，包括：第一重分布衬底；下半导体芯片，在所述第一重分布衬底上，所述下半导体芯片中包括通孔；第一下导电结构，设置在所述第一重分布衬底上并与所述下半导体芯片横向间隔开；
第二下导电结构，设置在所述第一重分布衬底上并与所述下半导体芯片和所述第一下导电结构横向间隔开；上导电结构，在所述第一下导电结构上；以及上半导体芯片，在所述下半导体芯片的顶面和所述第二下导电结构的顶面上，其中所述上半导体芯片与所述通孔和所述第二下导电结构耦接。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第二下导电结构的宽度大于所述通孔的宽度。11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一下导电结构包括：多个下柱，在所述第一重分布衬底的边缘区域的顶面上；以及下分割结构，在所述第二下导电结构与所述下柱之...

【专利技术属性】
技术研发人员：金珉呈，金东奎，金钟润，李锡贤，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：