【技术实现步骤摘要】
一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置及方法
[0001]本专利技术属于金属表面薄膜处理
，具体涉及一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置及方法。
技术介绍
[0002]薄膜沉积是一种工业上使用的技术，在由目标材料制成的特定设计部件上涂上一层薄薄的涂层，并使其表面具有一定的性能，例如提高金属的腐蚀性和半导体的电学性质等。随着现代化进程的深入发展，对材料表面上的涂层提出了越来越高的要求。目前，经常采用的真空薄膜沉积方法主要有机械混合，固相法，水热法，溶胶凝胶法，非均相凝聚法。沉淀法，微乳液法，沉积法等多种。
[0003]1.固相法能耗大、效率低、粉体不够细、易混入杂质；2.水热法需要高温高压步骤，使其对生产设备的依赖性比较强；3.溶胶凝胶法使用的原料价格比较昂贵，有些原料为有机物，对健康有害，过程且需时间较长；4.沉淀法脱氧剂可能会残留在涂层中，影响涂层的性能；5.物理气相沉积分为真空蒸发镀、真空溅射镀，真空离子镀；真空蒸发镀薄膜与基片的集合不是十分紧密，此外其镀膜速度较低，绕射性差；真空溅射镀离化率较低...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置，其特征在于：包括同步传送机构（1）、多组第一处理组件（7）和第二处理组件（8），所述第一处理组件（7）包括两个直接介质阻挡放电组件，所述第二处理组件（8）包括两个间接介质阻挡放电组件；所述直接介质阻挡放电组件包括电极开合机构（2）、气体流量计（6）和第一电极（3），所述气体流量计（6）固定设置于电极开合机构（2）上，所述第一电极（3）固定设置于电极开合机构（2）底部，所述第一电极（3）不接触的位于待处理的金属薄膜的表面，待处理的金属薄膜接地，生成的等离子体直接作用于至待处理的金属薄膜表面；所述间接介质阻挡放电组件包括电极开合机构（2）、第二电极（9）和气体流量计（6），所述气体流量计（6）固定设置于电极开合机构（2）上，所述第二电极（9）固定设置于电极开合机构（2）靠近待加工金属的一侧，所述第二电极（9）中高低电极相间并列排列，不接触的位于待处理的金属薄膜的表面，高低电极之间的空腔生成的等离子体喷射于待处理的金属薄膜的表面。2.根据权利要求1的一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置，其特征在于；所述第一电极（3）和第二电极（9）均包括多个圆柱形实心钨铜合金（201），且第一电极（3）上的多根高压圆柱形实心钨铜合金成线性整列设置，所述第二电极（9）上的多根圆柱形实心钨铜合金成线性整列设置且高低压交错设置，直接介质阻挡放电组件和间接介质阻挡放电组件内侧均设置有放电导辊，且两个放电导辊直径大小不一。3.根据权利要求1的一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置，其特征在于：所述电极开合机构（2）还包括通气孔（204）和高压导线（203），所述通气孔（204）开设于电极开合机构（2）上，所述高压导线（203）固定连接于电极开合机构（2）上并且两个电极开合机构（2）上的高压导线（203）分别与第一高压纳秒脉冲电源（4）和第二高压纳秒脉冲电源（5）电性连接。4.根据权利要求1的一种多模式低温等离子体金属表面薄膜沉积装置的使用方法，其特征在于：步骤如下：步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑俣垚，刘泓麟，黄成硕，梁恒瑞，崔行磊，梅丹华，方志，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。