一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，属于电子薄膜技术领域。本发明专利技术采用Ti

【技术实现步骤摘要】
一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法


[0001]本专利技术属于电子薄膜
，具体地，涉及一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法。

技术介绍

[0002]目前，用于合成薄膜的制备技术很多，大部分的薄膜制备技术都可以用于制备薄膜。其中最常用的制备技术主要有：金属有机化合物化学气相沉积法、反应分子束外延法、化学气相沉积法、等离子体辅助化学气相沉积法、激光化学气相沉积和离子注入法等：
[0003](1)金属有机化合物化学气相沉积技术，也叫金属有机气相外延，该方法是使有机金属热分解而进行的气相外延生长技术。这种技术的优点是既可以控制合成薄膜的厚度(达到原子级)，制备出纳米材料薄膜，又可以大面积的、均匀的沉积薄膜；另外，可以将污染源降低到最小，使制备的薄膜的纯度得到很大程度的提高。高质量的外延单晶薄膜通常都是采用该方法制备的，金属有机化学气相沉积技术的缺点是设备昂贵，沉积温度过高，而且对生长过程缺乏实时原位检测。
[0004](2)反应分子束外延技术，是一种新发展起来的外延单晶薄膜制备技术。分子束外延方法有一个显著的优点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，所述制备方法包括以下操作步骤：(1)对基体进行预处理，清洗基体；(2)将基体放入真空室，关闭真空室大门，使用机械泵抽真空至真空度达到8Pa
‑
10Pa；(3)在机械泵抽真空的同时开始使用分子泵抽真空；(4)将真空室温度升温，并继续抽真空至真空度达到4.0
×
10
‑3Pa；(5)通入氩气，并调节真空室内气体压强不变；(6)打开电源，等待启动正常后，将基体工位调整正确后，按梯度增加通入氮气；(7)经过一段溅射时间制膜后，关闭电源；(8)在继续抽真空的同时开始降温至室温，依次关闭分子泵和机械泵，打开真空室左后方的放气阀放气，通入外界空气；(9)打开真空室大门，取出基体，关闭总电源和冷却水，完成一次制膜。2.根据权利要求1所述的一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述清洗方法为丙酮超声清洗、酒精超声清洗、去离子蒸馏水清洗中的一种。3.根据权利要求1所述的一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步骤(3)中所述分子泵抽真空，抽真空至真空度达到5.0
×
10
‑3Pa。4.根据权利要求1所述的一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步骤(4)中所述真空室温度升温至300℃。5.根据权利要求1所述的一种氮气反应溅射法制备CoCrTi薄膜的方法，其特征在于，步骤(6)中所述氮气流量呈梯度增加，按照如下程序设置：0
‑
11min，氮气流量0.25sccm；11
‑
21min，氮气流量0.5sccm；21
‑
30min，氮气流量0.75sccm；30
‑
38min，氮气流量1sccm；38
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智博，朱杰志，吕圣诗，
申请(专利权)人：广州智圣高分子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：