一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路技术

本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在硅衬底上，对应砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在砷化镓外延结构上；基于硅的控制电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；匹配电路与砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。可以将基于硅的控制电路、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路集成到一个芯片上。到一个芯片上。到一个芯片上。

【技术实现步骤摘要】
一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路。

技术介绍

[0002]随着通信技术的发展，射频器件得到越来越广泛的应用，包括基站、手机和其它各种智能终端设备，也包括Sub
‑
6GHz频段和毫米波频段。其中装置于各类无线通信终端系统的射频前端，是实现整个无线通讯智能终端最前端的射频信号接收与发射功能的核心系统，通常由功率发大器(PA)、滤波器(Filter)、低噪声放大器(LNA)和射频开关(RF Switch)等多个器件组合构成。追求低功耗、高性能、低成本是通信技术升级的主要驱动力，也是芯片设计研发的主要方向。射频电路的技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合，在5G及未来移动通信中，器件的小型化与集成化是主要的趋势。
[0003]砷化镓(GaAs)化合物半导体是无线通信系统射频功率放大器的主要材料之一，由于其高电子迁移率，在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成式硅基芯片，其特征在于，包括：硅衬底，所述硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在所述硅衬底上，对应设置在所述硅器件区域；砷化镓外延结构，设置在所述硅衬底上，对应所述砷化镓器件区域；砷化镓高电子迁移率晶体管，设置在所述砷化镓外延结构上；以及匹配电路，设置在所述砷化镓外延结构上；所述基于硅的控制电路与所述砷化镓高电子迁移率晶体管电连接；所述匹配电路与所述砷化镓高电子迁移率晶体管电连接。2.根据权利要求1所述的一种集成式硅基芯片，其特征在于，砷化镓高电子迁移率晶体管包括：栅极、源极和漏极，设置在所述外延结构的上方；钝化层，设置在所述栅极、所述源极和所述漏极的上方；第一金属层，设置在所述钝化层的上方，与所述源极和所述漏极相连；第二金属层，与所述第一金属层连接，且设置在所述第一金属层的上方；所述匹配电路包括相连接的电感和电容，所述电感包括：电感绕线，设置在所述钝化层的上方；以及电感端口，设置在所述电感绕线的上方，与所述电感绕线的端部连接；所述电容包括：下电极，设置在所述钝化层的上方；电容介质，设置在所述下电极上；以及上电极，设置在所述电容介质的上方；其中，所述第二金属层与所述电感端口、所述上电极耦合；所述电感绕线、所述下电极与所述第一金属层采用同一制成形成；所述电感端口、所述第二金属层和所述上电极通过同一道制程形成。3.根据权利要求2所述的一种集成式硅基芯片，其特征在于，所述第二金属层与所述电感端口通过金属导线相连或通过空气桥耦合，所述电感端口与所述上电极通过金属导线相连或通过空气桥耦合。4.根据权利要求2所述的一种集成式硅基芯片，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和第二钝化层；所述第一钝化层设置在所述外延结构上；所述第二钝化层设置在所述第一钝化层上；所述源极、所述漏极和所述栅极分别贯穿所述第一钝化层与所述外延结构连接；所述第一金属层设置在所述源极和所述漏极的上方，贯穿所述第二钝化层，且分别与所述源极和所述漏极连接；所述砷化镓高电子迁移率晶体管还包括金属间电介质，设置在所述第二钝化层上；所述第二金属层设置在所述金属间电介质的上方，贯穿所述金属间电介质，且分别与所述第一金属层连接；所述电感绕线设置在所述第二钝化层上；所述电感端口设置在所述金属间电介质的上方，包括电感输入电极和电感输出电极，所述电感输入电极与所述电感绕线的一端连接，所述电感输出电极与所述电感绕线的另一
端连接；所述下电极设置在所述第二钝化层上；所述电容介质设...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊永辉，许明伟，樊晓兵，
申请(专利权)人：深圳市汇芯通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：