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本申请公开了一种集成式硅基芯片及其制作方法、集成电路，集成式硅基芯片包括：硅衬底、基于硅的控制电路、砷化镓外延结构、砷化镓高电子迁移率晶体管和匹配电路；硅衬底被划分为硅器件区域和砷化镓器件区域；基于硅的控制电路，设置在硅衬底上，对应设置在硅...
该专利属于深圳市汇芯通信技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市汇芯通信技术有限公司授权不得商用。

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