一种晶圆双面刷洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆双面刷洗装置，包括容器框架，容器框架上设置有圆周旋转装置、吹气清洗装置和检测装置，所述容器框架的一侧设置有毛刷清洗装置，所述毛刷清洗装置包括固定设置于晶圆下方的下部清理毛刷和移动设置于晶圆上方的上部清理毛刷，所述下部清理毛刷和上部清理毛刷的固定端均在所述毛刷清洗装置上。本发明专利技术的有益效果是，双面刷洗装置可以实现对精圆片的双面刷洗，并配合晶圆片旋转驱动装置对晶圆片进行旋转，达到对晶圆片的全方位刷洗，刷洗效果好，而且工作效率高，且驱动旋转的机构采用圆周旋转装置，可以做到最小接触面积带动晶圆旋转，减少了晶圆在旋转清理过程中被二次污染的面积和概率，提升了刷洗的清洁完整度。整度。整度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆双面刷洗装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，特别是一种晶圆双面刷洗装置。

技术介绍

[0002]目前，在晶圆片的制造过程中，众所皆知的是，在加工过程中所遗留在晶片表面的不必要残留必须加以清洗。此般的制造操作范例包括有等离子体蚀刻和化学机械抛光法。若不必要的残留物质和微粒在连续的制造操作过程中遗留在晶片的表面，这些残留物质和微粒将会造成如晶片表面刮伤和金属化特征间的不适当的交互作用等瑕疵。在一些案例中，此般瑕疵可能导致晶片上的装置变得无法运作。欲避免由于丢弃具有无法运作的装置的晶片而所造成的额外费用，因此，当在晶片表面上遗留不必要的残余物的制造操作程序之后，必须适当并有效率地清洗晶片。在化学机械抛光工艺后实施的清洗步骤可以是：利用旋转的清洁刷在刷洗机内清洗晶片表面，利用清洁刷的旋转动作和清洁刷施加在晶片的压力，帮助剩余浆料从晶片表面上移除。
[0003]但是，公知化学机械抛光后晶片清洗设备多是单面刷，清洗工艺复杂，无法达到令人满意的清洁效率，沿着晶片表面的边缘可以看见剩余浆料和大量缺陷，另外，对晶圆片的二次污染也很本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆双面刷洗装置，其特征在于，包括容器框架(1)，所述容器框架(1)上设置有圆周旋转装置(2)、吹气清洗装置(3)和检测装置(4)，所述容器框架(1)的一侧设置有毛刷清洗装置(5)，所述毛刷清洗装置(5)包括固定设置于晶圆下方的下部清理毛刷(6)和移动设置于晶圆上方的上部清理毛刷(7)，所述下部清理毛刷(6)和上部清理毛刷(7)的固定端均在所述毛刷清洗装置(5)上。2.根据权利要求1所述的一种晶圆双面刷洗装置，其特征在于，所述圆周旋转装置(2)包括左夹持结构(8)和右夹持结构(9)，所述左夹持结构(8)和右夹持结构(9)呈对称设置，所述左夹持结构(8)包括夹持组件(10)，所述夹持组件(10)上固定安装有圆周旋转装置(2)，所述夹持组件(10)的底部连接有距离调节装置(11)，所述距离调节装置(11)固定安装在安装板上。3.根据权利要求2所述的一种晶圆双面刷洗装置，其特征在于，所述夹持组件(10)整体呈Z形，所述夹持组件(10)的上端设置有呈内圆弧状，且上端的面板上设置的用于安装圆周旋转装置(2)的若干圆孔也呈内圆弧状排列，所述夹持组件(10)底端的面板固定安装在距离调节装置(11)上的滑块上。4.根据权利要求3所述的一种晶圆双面刷洗装置，其特征在于，所述圆周旋转装置(2)包括固定安装在夹持组件(10)底部的旋转驱动气缸(12)，所述旋转驱动气缸(12)的上端连接有传动齿轮，所述圆周旋转装置(2)之间通过齿轮和齿条的组合进行连接，所述传动齿轮上端通过连接轴穿过夹持组件(10)的上面板和容器框架(1)的底板连接夹层旋转元件(13)，所述连接轴的外围设置有轴套，所述轴套固定安装在所述夹持组件(10)上端面板上的圆孔内，所述连接轴穿过容器框架(1)的底板上的圆孔呈长圆状。5.根据权利要求4所述的一种晶圆双面刷洗装置，其特征在于，所述距离调节装置(11)包括距离调节组件，所述距离调节组件固定安装在所述安装板上，所述距离调节组件上通过滑轨连接有滑块，所述滑块的一端固定连接在夹持组件(10)的下端面板上。6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，蒋君，
申请(专利权)人：拓思精工科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：