半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用技术

技术编号:36694733 阅读:36 留言:0更新日期:2023-02-27 20:05
本发明专利技术属于量子点技术领域,具体为半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用,半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,包括以下步骤:将含碲的化合物与NaBH4混合,制备NaHTe前驱体;向除氧的水中加入镉化合物和半胱胺盐酸盐,溶解,同时在溶解的过程中通入惰性气体,制备Cd前驱体溶液;向所述Cd前驱体溶液中加入所述NaHTe前驱体溶液,混合,调节pH至5.6

【技术实现步骤摘要】
半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及量子点
,具体涉及半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]Hg
2+
是重金属污染物,对人的身体和健康有着非常的影响。Hg
2+
对脑部、肾、肺的损害,同时也对DNA和中枢神经系统的损害。因此,我们急迫需要寻找量子点的荧光探针在环境中检测Hg
2+

[0003]谷胱甘肽(glutathione,GSH),即γ

谷氨酰

L

半胱氨酸甘氨酸,是一种在植物、动物和人类中广泛存在的三肽,是一种低分子量的含巯基(

SH)化合物。谷胱甘肽和谷胱甘肽依赖性酶在抗氧化过程中的合成和作用起着非常重要的作用,例如GSH细胞状态的维持和调节、谷胱甘肽化和去谷胱甘肽化、氧化还原调节剂依赖性信号传导和细胞凋亡。硫醇分子浓度异常与癌症、艾滋病、阿尔茨海默病和心血管疾病等一些重要疾病的形成密切相关。因此,需要开发一种快速,高灵敏性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)NaHTe前驱体制备:将含碲的化合物与NaBH4混合,加入除氧的水至黑色粉末消失,底部有白色沉淀,过滤,得到淡紫红色透明NaHTe溶液,即为NaHTe前驱体溶液;(2)Cd前驱体的制备:向除氧的水中加入镉化合物和半胱胺盐酸盐,溶解,同时在溶解的过程中通入惰性气体,得到Cd前驱体溶液;(3)CA

CdTe量子点的制备:向所述Cd前驱体溶液中加入所述NaHTe前驱体溶液,混合,调节pH至5.6

6.3,在90

95℃回流1

4h得到半胱胺修饰的CdTe量子点,即CA

CdTe量子点;所述Cd前驱体溶液中的镉化合物与所述NaHTe前驱体溶液中含碲的化合物的摩尔比为0.15

0.2:1。2.根据权利要求1所述的半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,其特征在于,步骤(1)中含碲的化合物与NaBH4的摩尔比为1:8

8.2。3.根据权利要求1所述的半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,其特征在于,步骤(1)中含碲的化合物与NaBH4的总质量与除氧的水的体积为1g:18

24mL。4.根据权利要求1所述的半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法,其特征在于,步骤(2)中镉...

【专利技术属性】
技术研发人员:代盼盼王军谢成根张欣金德利余颖陈世芹谢洪学
申请(专利权)人:安徽德正堂药业集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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