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本发明属于量子点技术领域，具体为半胱胺修饰的CdTe量子点、制备方法及其应用，半胱胺修饰的CdTe量子点的制备方法，包括以下步骤：将含碲的化合物与NaBH4混合，制备NaHTe前驱体；向除氧的水中加入镉化合物和半胱胺盐酸盐，溶解，同时在溶解...
该专利属于安徽德正堂药业集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽德正堂药业集团有限公司授权不得商用。

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