量子点及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种量子点及其制备方法，所述量子点包括量子点核，所述量子点核的表面具有第一阳离子和第一阴离子，所述量子点核的表面还具有与所述第一阴离子键合的第二阳离子或者与所述第一阳离子键合的第二阴离子。本申请降低了量子点核的各个晶面活性之间的差异。间的差异。间的差异。

【技术实现步骤摘要】
量子点及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点通常为粒径在2nm
‑
20nm范围内、并具有晶体结构的纳米材料，其具备优异的光学性能，例如具有半峰宽窄，光学稳定性强，波长连续可控、量子效率高等优点，因而吸引了大量国内外科研工作者的关注，被广泛应用于显示、照明、太阳能、生物标记等诸多领域。
[0003]为了获得高荧光效率和性能稳定的量子点材料，通常在量子点晶核表面生长一种或多种带隙连续变宽的壳层材料或惰性无机物壳层，但是由于量子点核的各个晶面的活性差异性较大，使得各个晶面朝向各向异性发展。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种量子点及其制备方法，以解决现有技术中量子点核的各个晶面活性差异较大的技术问题。
[0005]本申请实施例提供一种量子点的制备方法，其包括如下步骤：
[0006]提供量子点核溶液，所述量子点核溶液包括量子点核，所述量子点核的表面具有第一阳离子和第一阴离子；
[0007]在所述量子点核溶液中加入包含第二阳离子的第一化合物或包含第二阴离子的第二化合物，所述第二阳离子用于与所述第一阴离子键合，所述第二阴离子用于与所述第一阳离子键合。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，量子点的制备方法还包括：
[0009]在所述量子点核溶液中加入包含表面活性配体的第三化合物。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，量子点的制备方法还包括：<br/>[0011]提供壳层阳离子前驱体溶液和壳层阴离子前驱体溶液，所述壳层阳离子前驱体溶液和所述壳层阴离子前驱体溶液在所述量子点核的表面形成量子点壳层，所述量子点壳层包覆所述量子点核。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一化合物或所述第二化合物的摩尔量和所述量子点核的摩尔量的对应关系为1mmol的所述第一化合物或所述第二化合物对应1mmol
‑
10mmol的所述量子点核。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三化合物的摩尔量和所述量子点核的摩尔量的对应关系为1mmol的所述第三化合物对应1
‑
5mmol的所述量子点核。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述表面活性配体为羧基、胺基、巯基、膦基或卤素离子中的至少一种。
[0015]本申请实施例提供一种量子点，所述量子点包括量子点核，所述量子点核的表面具有第一阳离子和第一阴离子，所述量子点核的表面还具有与所述第一阴离子键合的第二
阳离子或者与所述第一阳离子键合的第二阴离子。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核的粒径为2nm
‑
15nm；和/或，
[0017]所述量子点还包括量子点壳层，所述量子点壳层包覆在所述量子点核的外表面，所述量子点壳层的厚度为1nm
‑
8nm。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二阳离子与所述第一阳离子相同。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二阳离子为镉离子、锌离子、铅离子、铟离子、汞离子或镓离子中的至少一种。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二阴离子与所述第一阴离子相同。
[0021]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二阴离子为硒离子、硫离子、碲离子、磷离子或砷离子中的至少一种。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点核的材料选自CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、GaP、GaAs、InP、InAs、InZnP和InGaP中的至少一种；和/或，
[0023]所述量子点还包括量子点壳层，所述量子点壳层的材料选自ZnS、ZnSe、ZnSeS和CdS中的至少一种。
[0024]相较于现有技术中的量子点，在本申请提供的量子点中，当量子点核表面的第一阴离子与第二阳离子键合时，量子点核的表面呈现为正性离子的性质；当量子点核表面的第一阳离子与第二阴离子键合时，量子点核的表面呈现为负性离子的性质。因此，相较于现有技术中量子点核表面的阴离子和阳离子的共存状态，本申请通过使量子点核的表面呈现为正性离子或负性离子的单一电性离子的性质，可以降低量子点核的各个晶面活性之间的差异，使得量子点核的各个晶面趋于各向同性，进而当需要在量子点核表面生长壳层时，有利于提高壳层生长速率的一致性，进而得到形貌更加规则的量子点。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本申请提供的量子点的结构示意图。
[0027]图2是本申请提供的量子点的制备方法的流程示意图。
[0028]图3是本申请提供的量子点的实施例1制备得到的量子点的透射电子显微镜扫描图。
[0029]图4是本申请提供的量子点的对比例1制备得到的量子点的透射电子显微镜扫描图。
[0030]图5是本申请提供的量子点的实施例2制备得到的量子点的透射电子显微镜扫描图。
[0031]图6是本申请提供的量子点的对比例2制备得到的量子点的透射电子显微镜扫描图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0033]量子点的合成工艺通常包括成核和生长两个阶段，分别对应形成量子点核和壳层，本申请的专利技术人在研究量子点材料的制备和应用工作中发现，通过对量子点核和/或壳层的成分和比例调控可以获得不同波长的量子点。在量子点的合成工艺中，当形成量子点核之后，量子点核的表面通常表现为阳离子和阴离子共存的状态，由于处于共存状态的阳离子和阴离子分别与有机配体和金属前躯体连接，或者呈悬挂键状态，因而使得量子点核的各个晶面活性不一致，在量子点核表面生长壳层时，由于各个晶面的活性差异，导致壳层生长速率不一致，使得原本为球形结构的量子点核在生长完壳层后变成不规则结构，从而导致最终得到具有不规则形貌的量子点。
[0034]进一步的，量子点的不规则形貌还会导致最终产生的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供量子点核溶液，所述量子点核溶液包括量子点核，所述量子点核的表面具有第一阳离子和第一阴离子；在所述量子点核溶液中加入包含第二阳离子的第一化合物或包含第二阴离子的第二化合物，所述第二阳离子用于与所述第一阴离子键合，所述第二阴离子用于与所述第一阳离子键合。2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，还包括：在所述量子点核溶液中加入包含表面活性配体的第三化合物。3.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，还包括：提供壳层阳离子前驱体溶液和壳层阴离子前驱体溶液，所述壳层阳离子前驱体溶液和所述壳层阴离子前驱体溶液在所述量子点核的表面形成量子点壳层，所述量子点壳层包覆所述量子点核。4.根据权利要求1所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第一化合物或所述第二化合物的摩尔量和所述量子点核的摩尔量的对应关系为1mmol的所述第一化合物或所述第二化合物对应1mmol
‑
10mmol的所述量子点核。5.根据权利要求2所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述第三化合物的摩尔量和所述量子点核的摩尔量的对应关系为1mmol的所述第三化合物对应1
‑
5mmol的所述量子点核。6.根据权利要求2所述的量子点的制备方法，其特征在于，所述表面活性配体为羧基、胺基、巯基、膦基或卤素离子中的至少一种。7.一种量子点，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：