高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法技术

技术编号:36692948 阅读:55 留言:0更新日期:2023-02-27 20:02
本申请涉及高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法。提供了一种多层结构,包括绝缘体上半导体结构的所述多层结构包括增强下方电荷俘获层的稳定性的绝缘层。俘获层的稳定性的绝缘层。俘获层的稳定性的绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法
[0001]分案申请信息
[0002]本申请是申请日为2017年12月1日、申请号为201780075383.0、专利技术名称为“高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法”的专利技术专利申请案的分案申请。
[0003]相关申请案的交叉参考
[0004]本申请案主张2016年12月05日申请的序列号为62/429,922的美国临时申请案的优先权,所述申请案的揭示内容特此宛如陈述那样以全文引用的方式并入。


[0005]本专利技术大体上涉及半导体晶片制造的领域。更明确来说,本专利技术涉及一种制备用于绝缘体上半导体(例如,绝缘体上硅)结构的制造中的处置衬底的方法,且更特定来说,涉及一种用于在绝缘体上半导体结构的处置晶片中产生电荷俘获层的方法。

技术介绍

[0006]半导体晶片通常从单晶锭(例如,硅锭)制备,所述单晶锭经修整及研磨以具有一或多个平边或凹痕,以用于在后续程序中晶片的正确定向。接着,将锭切片成个别晶片。虽然本文中将参考由硅构造的半导体晶片,但可使用其它材料来制备半导体晶片,例如锗、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多层结构,其包括:单晶半导体处置衬底(100),其包括:两个主要、大体上平行表面,所述表面中的一者是所述单晶半导体处置衬底的前表面(102)且所述表面中的另一者是所述单晶半导体处置衬底的背表面(104);在所述前表面与所述背表面之间的虚中心平面;结合所述单晶半导体处置衬底的所述前表面及所述背表面的圆周边缘;及在所述单晶半导体处置衬底的所述前表面与所述背表面之间的主体区域,其中所述单晶半导体处置衬底具有至少约500欧姆

cm的最小主体区域电阻率;半导体氧化物层,其与所述单晶半导体处置衬底的所述前表面界面接触;电荷俘获层(200),其包括多晶硅层,所述电荷俘获层与所述半导体氧化物层界面接触,其中所述电荷俘获层具有至少约1000欧姆

cm的最小电阻率;绝缘层(300),其包括氮化硅或氮氧化硅,所述绝缘层与包括所述多晶硅层的所述电荷俘获层界面接触;电介质层(410),其与所述绝缘层界面接触,所述电介质层包括两个或更多个层,其中所述两个或更多个层中的每一者包括从由二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅组成的组中选择的材料;及单晶硅装置层(500),其中所述单晶硅装置层与所述电介质层界面接触。2.根据权利要求1所述的多层结构,其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员:J
申请(专利权)人:环球晶圆股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1