温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及高电阻率绝缘体上硅结构及其制造方法。提供了一种多层结构，包括绝缘体上半导体结构的所述多层结构包括增强下方电荷俘获层的稳定性的绝缘层。俘获层的稳定性的绝缘层。俘获层的稳定性的绝缘层。
...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。