本发明专利技术实施例公开了一种阵列基板，包括：衬底；位于衬底一侧的第一缓冲层，第一缓冲层包括氮化硅；位于第一缓冲层远离衬底一侧的第二缓冲层，第二缓冲层包括氧化硅；位于第二缓冲层远离衬底一侧的多晶硅有源层，多晶硅有源层远离衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，凸起的高度为H1，多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；第一方向垂直衬底所在平面。由于在多晶硅有源层制备过程中由于热量急速的变化会产生凸起引起阈值电压漂移，本发明专利技术实施例提供的阵列基板，通过设置缓冲层包括叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，避免多晶硅有源层制备过程中热量的急速变化，可减少凸起的高度，可以改善阈值电压的漂移，具有改善短时残影的效果。短时残影的效果。短时残影的效果。
【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置
[0001]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
[0002]有机发光二级管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)具有体积小、结构简单、自主发光、亮度高、画质好、可视角度大、功耗低以及响应时间短等优点，因而引起广泛关注，极可能成为取代液晶的下一代显示技术。
[0003]但是OLED的显示屏在切换画面时，亮区和暗区切换至相同灰阶时，会由于晶体管的电滞现象造成短时间内亮度不均，容易出现残影现象，从而严重影响显示效果。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。通过减少多晶硅有源层表面凸起的高度，改善阈值电压的漂移，改善短时残影现象。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：
[0006]衬底；
[0007]位于所述衬底一侧的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；
[0008]位于所述第一缓冲层远离所述衬底一侧的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；
[0009]位于所述第二缓冲层远离所述衬底一侧的多晶硅有源层，所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿第一方向，所述凸起的高度为H1，所述多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。
[0010]可选的，所述的阵列基板，沿所述第一方向，所述第一缓冲层的厚度H3满足50nm≤H3≤400nm；
[0011]沿所述第一方向，所述第二缓冲层的厚度H4满足50nm≤H4≤400nm。
[0012]可选的，所述阵列基板还包括位于所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层；
[0013]所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；
[0014]所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；
[0015]所述第二金属层包括所述电容的第二极板；
[0016]所述第三金属层包括所述薄膜晶体管的源级和漏极。
[0017]第二方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制备方法，用于制备第一方向所述的阵列基板，所述制备方法包括：
[0018]提供衬底；
[0019]在所述衬底一侧制备第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；
[0020]在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧
化硅；
[0021]在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，所述多晶硅远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，所述凸起的高度为H1，所述多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。
[0022]可选的，在所述衬底一侧制备第一缓冲层，包括：
[0023]按照预设气体流量比例输入NH3和SiH4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述NH3和所述SiH4的气体流量比例为(5
‑
20):1。
[0024]可选的，在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，包括：
[0025]按照预设气体流量比例输入N2O和SiH4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述N2O和所述SiH4的气体流量比例为(20
‑
60):1。
[0026]可选的，在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，包括：
[0027]在所述第二缓冲远离所述衬底的一侧制备非晶硅层；
[0028]采用准分子激光工艺对所述非晶硅进行晶化处理，得到多晶硅层；
[0029]对所述多晶硅层进行激光退火，得到多晶硅有源层。
[0030]可选的，所述制备方法还包括：
[0031]在所述多晶硅有源层远离所述衬底的一侧制备第一绝缘层；
[0032]在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层；
[0033]在所述第一金属层远离所述衬底的一侧制备第二绝缘层；
[0034]在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层；
[0035]在所述第二金属层远离所述衬底的一侧制备第三绝缘层；
[0036]在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层；
[0037]所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；
[0038]在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备第一金属层，包括：
[0039]在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；
[0040]在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备第二金属层，包括：
[0041]在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述电容的第二极板；
[0042]在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备第三金属层，包括：
[0043]在所述第三绝缘层远离所述衬底的一侧制备所述薄膜晶体管的源级和漏极。
[0044]第三方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板，还包括对置基板；
[0045]所述对置基板与所述阵列基板对置设置。
[0046]第四方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括第三方面所述的显示面板。
[0047]本专利技术实施例提供的阵列基板，通过在衬底上设置缓冲层包括叠层设置的第一缓冲层和第二缓冲层，进一步设置第一缓冲层包括氮化硅，第二缓冲层包括氧化硅，通过调节缓冲层的膜层结构以及膜材，借以调整多晶硅有源层的表面型态，降低多晶硅有源层上表面中凸起的高度，减少凸起捕获的电荷数量，减少阈值电压的漂移，从而改善短时间的残影现象；进一步的，通过设置多晶硅有源层表面的凸起高度小于多晶硅有源层厚度的一半，可以显著减少阈值电压的漂移，保证阵列基板中薄膜晶体管的阈值一致性，保证显示面板的
显示效果良好。
附图说明
[0048]为了更加清楚地说明本专利技术示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本专利技术所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0049]图1是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0050]图2是本专利技术实施例提供的一种多晶硅有源层的结构示意图；
[0051]图3是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；
[0052]图4是本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0053]图5是本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0054]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；位于所述第一缓冲层远离所述衬底一侧的第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；位于所述第二缓冲层远离所述衬底一侧的多晶硅有源层，所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿第一方向，所述凸起的高度为H1，所述多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一缓冲层的厚度H3满足50nm≤H3≤400nm；沿所述第一方向，所述第二缓冲层的厚度H4满足50nm≤H4≤400nm。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括位于所述多晶硅有源层远离所述衬底一侧的第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层和第三金属层；所述阵列基板还包括驱动电路，所述驱动电路包括薄膜晶体管和电容；所述第一金属层包括所述薄膜晶体管的栅极和所述电容的第一极板；所述第二金属层包括所述电容的第二极板；所述第三金属层包括所述薄膜晶体管的源级和漏极。4.一种阵列基板的制备方法，用于制备权利要求1
‑
3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底一侧制备第一缓冲层，所述第一缓冲层包括氮化硅；在所述第一缓冲层远离所述衬底的一侧制备第二缓冲层，所述第二缓冲层包括氧化硅；在所述第二缓冲层远离所述衬底的一侧制备多晶硅有源层，所述多晶硅远离所述衬底一侧的表面形成有多个凸起；沿所述第一方向，所述凸起的高度为H1，所述多晶硅有源层的厚度为H2，其中，H1≤H2/2；所述第一方向垂直所述衬底所在平面。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧制备第一缓冲层，包括：按照预设气体流量比例输入NH3和SiH4，以在所述衬底一侧沉积得到氮化硅；其中，所述NH3和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：许修齐，施文杰，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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