一种TR组件封装方法技术

本发明专利技术公开了一种TR组件封装方法，包括上腔和下腔，上腔与下腔在大面贴合时，上腔与下腔之间形成位于边侧的间隙，在间隙处放置焊环，焊接形成焊缝a将上腔与焊环之间连接，焊接形成焊缝b将下腔与焊环之间连接。本发明专利技术针对K频段瓦式相控阵天线的扩展组阵需求，提供一种尺寸紧凑、不占用扩阵方向空间尺寸的小规模子阵TR组件封装方法，该工艺能解决传统相控阵TR组件由于高密度集成化后，难以分割成子阵带来的大尺寸复杂电路组装困难、返修性差等问题，同时具备较好的通用性，可以实现水平方向上的扩阵，具备可靠性高、可制造性好、成品率高等优势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
一种TR组件封装方法


[0001]本专利技术属于电子封装相关
，具体涉及一种TR组件封装方法。

技术介绍

[0002]TR组件是有源相控阵天线的主要组成和核心部件。每个有源相控阵天线都包含了大量的TR组件这一有源部件，TR组件位于相控阵有源天线子阵射频前端，是与辐射器相配套的发射/接收装置。每个TR组件都能自己产生、接收电磁波，主要完成发射信号到阵元的末级功率放大和接收的前级放大，实现阵面的幅相修正和波束扫描等功能。
[0003]TR组件在发展历程上，由早期的分离TR组合向多通道、高集成有源子阵发展。早期的TR组件设计时由下自上，及根据已有的底层元器件性能、规划组件设计的水平，从而完成模块研制；阵面则根据组件的特点平衡系统性能。新型的TR组件设计从天线实际需求出发，从架构设计开始，自上而下进行指标分解和结构规划。因此，新型的TR组件与传统的TR组件设计上有着本质的区别。
[0004]在TR组件的技术发展趋势上，主要包括：1)集成度方面，减少芯片数量，提高多通道集成度，实现单通道向具有多收发通道综合一体化有源子阵的方向发展；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TR组件封装方法，包括上腔(1)和下腔(2)，其特征在于：所述的上腔(1)与下腔(2)在大面贴合时，上腔(1)与下腔(2)之间形成位于边侧的间隙，在间隙处放置焊环(4)，焊接形成焊缝a将上腔(1)与焊环(4)之间连接，焊接形成焊缝b将下腔(2)与焊环(4)之间连接。2.根据权利要求1所述的TR组件封装方法，其特征在于：在焊接前准备时，具体包括如下操作：预先焊接好上腔(1)和下腔(2)上的电连接器；下腔(2)上先焊接PCB板(3)，使PCB板(3)与下腔(2)腔体大面积接地；焊环(4)厚度根据上腔(1)加工误差、下腔(2)加工误差、PCB加工误差、PCB焊接装配误差的公差累计情况，加工成等差系列的厚度。3.根据权利要求1或2所述的TR组件封装方法，其特征在于：在焊接前准备时，具体还包括如下操作：上腔(1)的焊缝a焊接处、下腔(2)的焊缝b焊接处以及螺钉盖板(6)焊缝面均做彩色导电氧化处理。4.根据权利要求1所述的TR组件封装方法，其特征在于：在焊接前安装时，具体包括如下操作：采用螺钉(5)将上腔(1)与下腔(2)试装在一起，使上下腔的大面紧贴，测量上腔(1)与下腔(2)之间的实际间隙，再选用厚度比实际间隙值小并在等差间隔范围以内的焊环(4)，确保焊环(4)在装入后，上腔(1)与下腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀利，杜明，李颖凡，李鹏凯，汤曹勇，金恒林，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十研究所，
类型：发明
国别省市：