具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管制造技术

本公开涉及具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管。各种应用可包含设计成在存储器擦除操作期间提供增强的栅极诱导漏极泄漏GIDL电流的存储器装置。可通过增强选择栅极晶体管的沟道结构中的电场向存储器单元串提供增强操作。所述沟道结构可实施为用于漏极的分段部分及与栅极相对的部分。所述分段部分包含一或多个翅片及一或多个非导电区域，其中翅片与非导电区域两者从与所述栅极相对的所述部分竖直地延伸。具有所述分段部分的与所述栅极相对的所述部分的边界区域的变体可包含从所述翅片延伸到与所述栅极相对的所述部分的尖角区域或在所述非导电区域下面的圆边界区域。此类选择栅极晶体管可使用单光掩模工艺形成。论述额外装置、系统及方法。系统及方法。系统及方法。

【技术实现步骤摘要】
具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器装置及存储器装置的操作，且更具体地，涉及与存储器装置的擦除操作相关的结构及方法。

技术介绍

[0002]存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)，以及其它存储器。非易失性存储器在未通电时可保留所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)或三维(3D)XPoint
TM
存储器，以及其它存储器。3D X点存储器为具有可堆叠交叉网格数据存取阵列的非易失性存储器(NVM)技术，其中位存储基于体电阻的改变。
[0003]快闪存储器用作用于广泛范围的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：竖直存储器单元柱；数据线；晶体管，其将所述数据线耦合到所述竖直存储器单元柱，所述晶体管具有沟道结构及栅极，所述沟道结构与所述栅极分离；所述晶体管的所述沟道结构的第一部分，其耦合到所述竖直存储器单元柱的沟道材料并从所述沟道材料竖直地延伸；及所述沟道结构的分段部分，其从所述第一部分竖直地延伸，所述分段部分具有接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的翅片及接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的非导电区域，所述第一部分与所述非导电区域具有边界，其中所述边界从所述翅片到所述翅片的最低层级下面的位置减小。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述沟道结构包含沿着所述边界的边界区域，其中沿着所述边界的所述边界区域相对于在所述边界区域外部的所述第一部分的掺杂而被重掺杂。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述沟道结构包含从所述边界在所述第一部分中向下延伸的发射极区域，其中所述发射极区域相对于所述发射极区域外部的所述第一部分的掺杂而被重掺杂。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述沟道结构包含沿着所述边界的边界区域，其中所述发射极从所述边界区域向下延伸，其中沿着所述边界的所述边界区域相对于在所述边界区域外部的所述第一部分的掺杂而被重掺杂。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述沟道结构包含从所述翅片沿着所述边界延伸到所述沟道结构的所述第一部分中的尖角区域，所述尖角区域相对于所述第一部分在所述尖角区域外部的掺杂而被重掺杂。6.一种存储器装置，其包括：竖直存储器单元柱；数据线；晶体管，其将所述数据线耦合到所述竖直存储器单元柱，所述晶体管具有沟道结构及栅极，所述沟道结构与所述栅极分离；所述晶体管的所述沟道结构的第一部分，其耦合到所述竖直存储器单元柱的沟道材料并从所述沟道材料竖直地延伸；所述沟道结构的分段部分，其从所述第一部分竖直地延伸，所述分段部分具有接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的翅片及接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的非导电区域；及尖角区域，其从所述翅片延伸到所述沟道结构的所述第一部分中。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述晶体管相对于所述竖直柱水平移位。8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述翅片及所述尖角区域相对于所述第一部分的掺杂而被重掺杂。9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述栅极的顶部与所述第一部分与所述翅片之间的界面正重叠，与所述界面负重叠，或在所述翅片的底层级处对准。
10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器装置包含耦合到所述翅片的漏极触点，其中所述漏极触点具有等于或小于所述数据线的宽度的宽度。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述漏极触点包含钨。12.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一部分的顶部具有从所述翅片到第二翅片的圆边界，所述第二翅片与所述翅片通过所述非导电区域分离，其中所述圆边界从所述翅片朝向所述第一部分与所述非导电区域的边界位置减小。13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中所述圆边界在所述非导电区域下方从所述尖角区域的末端延伸到第二尖角区域的末端，所述第二尖角区域从所述第二翅片延伸到所述沟道结构的所述第一部分中。14.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述非导电区域是空隙区域。15.一种存储器系统，其包括：多个存储器装置，其中所述存储器装置中的一或多个包含：数据线；存储器阵列，其具有竖直存储器单元串，其中每一竖直串被布置为耦合到晶体管的柱，所述晶体管将所述串耦合到所述数据线中的数据线，所述晶体管具有：沟道结构及栅极，所述沟道结构与所述栅极分离；所述沟道结构的第一部分，其耦合到所述竖直串的沟道材料并从所述沟道材料竖直地延伸；及所述沟道结构的分段部分，其从所述第一部分竖直地延伸，所述分段部分具有接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的翅片及接触所述沟道结构的所述第一部分并从其竖直地延伸的非导电区域；及尖角区域，其从所述翅片延伸到所述沟道结构的所述第一部分中；及存储器控制器，其包含处理电路系统，所述存储器控制器经配置以执行操作，所述操作包含：通过将擦除电压施加到将所述存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：