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本公开涉及具有分段沟道翅片的选择栅极晶体管。各种应用可包含设计成在存储器擦除操作期间提供增强的栅极诱导漏极泄漏GIDL电流的存储器装置。可通过增强选择栅极晶体管的沟道结构中的电场向存储器单元串提供增强操作。所述沟道结构可实施为用于漏极的分段...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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