驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种驱动电路，包含有一第一内部电路及一外部电路。该第一内部电路包含有一第一缓冲器，用来接收一输入电压。该外部电路耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该输入电压，产生一负载电压。该第一内部电路另包含有一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路；以及一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。第二电晶体进行一放电运作。第二电晶体进行一放电运作。

【技术实现步骤摘要】
驱动电路


[0001]本专利技术系指一种驱动电路，尤指一种使输入端与输出端的工作周期趋于一致的闸极驱动电路。

技术介绍

[0002]闸极驱动电路(gate driver circuit)会产生电流到电晶体的闸极，以驱动该电晶体。然而，在现有的电路设计中，该电晶体的放电路径的过大负载容易造成较长的放电时间，使输入该闸极驱动电路的电压与该电晶体输出的电压的工作周期(duty cycle)不一致。此外，在闸极驱动电路将该电晶体导通或关闭时，由于该电晶体不会立刻切换到导通或关闭的状态，切换过程中可能会有短暂时间通过极大电流，使该电晶体的闸极与输出端之间的电压差过大，进而使该电晶体过热而被毁损。因此，如何使输入闸极驱动电路的电压与该电晶体输出的电压的工作周期一致为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术的主要目的即在于提供一种驱动电路，其具有使输入端与输出端的工作周期趋于一致的闸极驱动电路，以解决上述问题。
[0004]本专利技术揭露一种驱动电路，包含有一第一内部电路及一外部电路。该第一内部电路包含有一第一缓冲器，用来接收一第一输入电压。该外部电路耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该第一输入电压，产生一负载电压。该第一内部电路另包含有一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，CMOS)，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路；以及一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。
附图说明
[0005]第1图为本专利技术实施例的一驱动电路的示意图。
[0006]第2图为第1图中的驱动电路相关运作的电压波形图。
[0007]第3图为本专利技术实施例的一驱动电路的示意图。
[0008]第4图为第3图中的驱动电路相关运作的电压波形图。
[0009]第5图为本专利技术实施例的一驱动电路的示意图。
[0010]其中，附图标记说明如下：
[0011]10、30、50
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驱动电路
[0012]100、300、500、510
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内部电路
[0013]110、310、520
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外部电路
[0014]102
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电流镜
[0015]104
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互补式金属氧化物半导体
[0016]INV1、INV2
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缓冲器
[0017]V
in1
、V
in2
、V
pump
、V
bat
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输入电压
[0018]V
gate
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闸极电压
[0019]V
load
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负载电压
[0020]M1、M2、M3
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电晶体
[0021]M1G
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闸极
[0022]Z1、Z2、Z3
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阻抗单元
[0023]IB
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电流源
[0024]C1
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电容器
[0025]L1
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电感器
[0026]D1
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二极体
[0027]D
in
、D
gate
、D
load
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工作周期
具体实施方式
[0028]在说明书及后续的申请专利范围当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域具通常知识者应可理解，硬体制造商可以使用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的申请专利范围并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求当中所提及的“包含”系为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。另外，“耦接”一词在此系包含任何直接及间接的电性连接手段。因此，若文中陈述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电性连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地电性连接到该第二装置。
[0029]第1图为本专利技术实施例的一驱动电路10的示意图。驱动电路10包含有一内部电路100及一外部电路110。内部电路100包含有一缓冲器INV1、一阻抗单元Z1、一电流镜102、一互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor，CMOS)104、一阻抗单元Z2。外部电路110包含有一电晶体M1，一电感器L1、一二极体D1及一电容器C1。根据从缓冲器INV1接收的一输入电压V
in1
，驱动电路10在外部电路110产生一负载电压V
load
。
[0030]如第1图所示，在内部电路100中，根据一电流源IB，电流镜102产生一电流。电流镜102可由一系统电源供电运作，该系统电源可包含有一第一端及一第二端，以及该第一端及该第二端之间的电压为一输入电压V
pump
。在本实施例中，该第二端以一接地端表示，惟不以此为限。互补式金属氧化物半导体104耦接于缓冲器INV1、电流镜102及外部电路110之间，用来驱动外部电路110。阻抗单元Z1及阻抗单元Z2耦接于互补式金属氧化物半导体104及外部电路110之间。
[0031]外部电路110中的电晶体M1用来产生负载电压V
load
。电晶体M1的一闸极M1G耦接于阻抗单元Z1。电晶体M1可由一系统电源供电运作，该系统电源可包含有一第一端及一第二端，以及该第一端耦接到一输入电压V
bat
。在本实施例中，该第二端以该接地端表示，惟不以此为限。电感器L1耦接于电晶体M1及该接地端之间，以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，包含有：一第一内部电路，包含有一第一缓冲器，用来接收一第一输入电压；以及一外部电路，耦接于该第一缓冲器及一接地端之间，包含有一第一电晶体，用来根据该第一输入电压，产生一负载电压。2.如权利要求1所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：一电流镜，用来根据一电流源，提供一电流；以及一互补式金属氧化物半导体，耦接于该电流镜、该第一缓冲器及该外部电路之间，用来驱动该外部电路。3.如权利要求2所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：至少一阻抗单元，耦接于该互补式金属氧化物半导体及该第一电晶体之间。4.如权利要求2所述的驱动电路，其中该第一内部电路另包含有：一第二电晶体，耦接于该互补式金属氧化物半导体CMOS、该至少一阻抗单元及该接地端之间，用来提供该第一电晶体透过该第二电晶体进行一放电运作。5.如权利要求1所述的驱动电路，其中该外部电路另包含有：一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑奕禧，张书铭，
申请(专利权)人：矽创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：