适用于汽车的低边驱动电路制造技术

技术编号:36596688 阅读:27 留言:0更新日期:2023-02-04 18:07
本实用新型专利技术提供一种适用于汽车的低边驱动电路。其中,适用于汽车的低边驱动电路包括相连接的驱动控制电路和驱动输出保护电路。其中,驱动控制电路包括第一比较器,外部控制线路通过第一分压线路与第一比较器的反相输入端连接,状态反馈线路与第一比较器的同相输入端连接,第一比较器的输出端接到内部控制线路。驱动输出保护电路包括MOSFET、运算放大器和第二比较器。本实用新型专利技术通过一些基础的电子元器件实现复杂的低边驱动功能,具有故障采集功能,硬件切断输出保护功能。此电路具有很强的可移植性,通过更改被动器件的参数,可以实现不同过流保护阈值的设置,满足不同应用场景的需求。的需求。的需求。

【技术实现步骤摘要】
适用于汽车的低边驱动电路


[0001]本技术涉及电路
,具体而言,涉及一种适用于汽车的低边驱动电路。

技术介绍

[0002]在汽车电子控制器应用中,车载产品通常会要求具有低边驱动功能,目前市场上的方案大多是使用集成的智能低边开关器件,而这种低边开关芯片的制造商大多为国外企业,芯片供货周期长,价格高,价格波动大。
[0003]而且,由于芯片的功能制式相对固定,不同的应用场景对于过流保护阈值的设定又不相同,因此现有的芯片也难以满足不同应用场景的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种适用于汽车的低边驱动电路,以解决现有技术中用于低边驱动的芯片成本高且应用场景少的技术问题。
[0005]为了实现上述目的,本技术提供了一种适用于汽车的低边驱动电路,低边驱动电路包括相连接的驱动控制电路和驱动输出保护电路,其中,驱动控制电路包括:第一比较器,外部控制线路通过第一分压线路与第一比较器的反相输入端连接,状态反馈线路与第一比较器的同相输入端连接,第一比较器的输出端接到内部控制线路;驱动输出保护电路包括:MOSFET,MOSFET的栅极接内部控制线路,MOSFET的漏极接对外输出线路;运算放大器,运算放大器的同相输入端与MOSFET的源级相连,运算放大器的反相输入端接地;第二比较器,第二比较器的反相输入端与运算放大器的输出端相连,第二比较器的正向输入端与基准电压相连,第二比较器的输出端与状态反馈线路相连。
[0006]在一个实施方式中,在驱动控制电路中,状态反馈线路与第一比较器的同相输入端之间连接有第一接地电容。
[0007]在一个实施方式中,在驱动控制电路中,第一比较器的输出端通过反馈电容接到第一比较器的同相输入端。
[0008]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,MOSFET的漏极还接通过续流二极管接到电池。
[0009]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,内部控制线路在接入MOSFET的栅极之前,还通过稳压二极管和释放电阻接地。
[0010]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,MOSFET的源级通过采样电阻接地,MOSFET的源级通过限流电阻接运算放大器的同相输入端。
[0011]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,运算放大器的输出端通过第一调节电阻接入运算放大器的反相输入端,运算放大器的反相输入端通过第二调节电阻接地。
[0012]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,运算放大器的输出端通过第一滤波线路接入到第二比较器的反相输入端。
[0013]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,基准电压通过第二滤波线路接入到
运算放大器的同相输入端。
[0014]在一个实施方式中,在驱动输出保护电路中,第二比较器的输出端通过第二分压线路接入状态反馈线路。
[0015]应用本技术的技术方案,通过一些基础的电子元器件实现复杂的低边驱动功能,具有故障采集功能,硬件切断输出保护功能。此电路具有很强的可移植性,通过更改被动器件的参数,可以实现不同过流保护阈值的设置,满足不同应用场景的需求。
[0016]除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图,对本技术作进一步详细的说明。
附图说明
[0017]构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:
[0018]图1示出了根据本技术的无采样电阻的高边驱动过流保护电路的实施例的整体示意图。
具体实施方式
[0019]需要说明的是,在不冲突的情况下,本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
[0020]为了使本
的人员更好地理解本技术方案,下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本技术保护的范围。
[0021]需要说明的是,本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换,以便这里描述的本技术的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0022]需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0023]为了解决现有技术中用芯片实现低边驱动的把不足,本技术提供了一种适用于汽车的低边驱动电路,本技术的电路通过一些基础的电子元器件实现复杂的低边驱动功能,具有故障采集功能,硬件切断输出保护功能。此电路具有很强的可移植性,通过更改被动器件的参数,可以实现不同过流保护阈值的设置,满足不同应用场景的需求。
[0024]具体的,如图1所示,本技术的适用于汽车的低边驱动电路的实施方式包括相
连接的驱动控制电路S10和驱动输出保护电路S20。其中,驱动控制电路S10包括第一比较器U1A,外部控制线路a1通过第一分压线路与第一比较器U1A的反相输入端连接,状态反馈线路a3与第一比较器U1A的同相输入端连接,第一比较器U1A的输出端接到内部控制线路a2。驱动输出保护电路S20包括MOSFET Q1、运算放大器U2B和第二比较器U3A,MOSFET Q1的栅极接内部控制线路a2,MOSFET Q1的漏极接对外输出线路a4,运算放大器U2B的同相输入端与MOSFET Q1的源级相连,运算放大器U2B的反相输入端接地,第二比较器U3A的反相输入端与运算放大器U2B的输出端相连,第二比较器U3A的正向输入端与基准电压相连,第二比较器U3A的输出端与状态反馈线路a3相连。
[0025]应用本技术的技术方案,通过分立器件电阻、电容、二极管、MOSFET、比较器以及运算放大器组成复杂的智能低边驱动电路,电路包括两部分,第一部分是驱动控制电路S10,第二部分是驱动输出保护电路S20。其中,外部控制线路a1用于整个低边驱动电路的外部控制信号;内部控制线路a2用于控制电路的输出信号,驱动电路的控制;状态反馈线路a3用于驱动输出保护电路S20的状本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于汽车的低边驱动电路,其特征在于,所述低边驱动电路包括相连接的驱动控制电路(S10)和驱动输出保护电路(S20),其中,所述驱动控制电路(S10)包括:第一比较器(U1A),外部控制线路(a1)通过第一分压线路与所述第一比较器(U1A)的反相输入端连接,状态反馈线路(a3)与所述第一比较器(U1A)的同相输入端连接,所述第一比较器(U1A)的输出端接到内部控制线路(a2);所述驱动输出保护电路(S20)包括:MOSFET(Q1),所述MOSFET(Q1)的栅极接所述内部控制线路(a2),所述MOSFET(Q1)的漏极接对外输出线路(a4);运算放大器(U2B),所述运算放大器(U2B)的同相输入端与所述MOSFET(Q1)的源级相连,所述运算放大器(U2B)的反相输入端接地;第二比较器(U3A),所述第二比较器(U3A)的反相输入端与所述运算放大器(U2B)的输出端相连,所述第二比较器(U3A)的正向输入端与基准电压相连,所述第二比较器(U3A)的输出端与所述状态反馈线路(a3)相连。2.根据权利要求1所述的适用于汽车的低边驱动电路,其特征在于,在所述驱动控制电路(S10)中,所述状态反馈线路(a3)与所述第一比较器(U1A)的同相输入端之间连接有第一接地电容。3.根据权利要求1所述的适用于汽车的低边驱动电路,其特征在于,在所述驱动控制电路(S10)中,所述第一比较器(U1A)的输出端通过反馈电容(C2)接到所述第一比较器(U1A)的同相输入端。4.根据权利要求1所述的适用于汽车的低边驱动电路,其特征在于,在所述驱动输出保护电路(S2...

【专利技术属性】
技术研发人员:张磊杨阳宋文全
申请(专利权)人:清智汽车科技苏州有限公司
类型:新型
国别省市:

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