用于氧化炉管路的支架和具有其的氧化炉管路维护系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于氧化炉管路的支架和具有其的氧化炉管路维护系统，用于氧化炉管路的支架，包括：底座；管托，用于支撑氧化炉进气管，所述底座的上方通过支撑轴固定所述管托，所述管托限定形成容纳所述氧化炉进气管的容纳通道。本实用新型专利技术通过将氧化炉进气管放置于管托的容纳通道中，使得氧化炉进气管靠近氧化炉进气口的一端与氧化炉进气口齐平，容纳通道可以托起氧化炉进气管防止其脱出，氧化炉进气管通过用于氧化炉管路的支架托起后，氧化炉进气管不再悬空放置，可以有效防止由于管路重力损坏氧化炉进气口的问题，减少氧化炉损坏的风险，同时可以防止管路弯曲导致出气不均匀的问题，提高产品的良率，提高管路自身使用寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
用于氧化炉管路的支架和具有其的氧化炉管路维护系统


[0001]本技术涉及半导体硅片生产领域，尤其是涉及一种用于氧化炉管路的支架和具有其的氧化炉管路维护系统。

技术介绍

[0002]目前，硅片热氧化，是在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层，而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层，它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层，而且也是MOS工艺以及多层金属化系统中保证电隔离的主要组成部分。因此了解硅氧化层的生长机理，控制并重复生长优质的硅化层方法对保证高质量的集成电路可靠性是至关重要的；在硅片衬底加工过程中，为了检验衬底内部的微缺陷，同样需要对硅片进行热氧化工艺模拟，以验证衬底硅片的热稳定性。
[0003]在硅片表面形成SiO2的技术有很多种：热氧化生长，热分解淀积(即CD法)，外延生长，真空蒸发，反应溅射及阳极氧化法等。其中热氧化生长在集成电路工艺中用得最多，其操作简便，且氧化层致密，足以用作为扩散掩蔽层，通过光刻易形成定域扩散图形等其它应用。硅热氧化工艺按所用的氧化气氛可分为：干氧氧化和湿氧氧化。
[0004]干氧工艺：硅片在氧化炉内，温度加热到600
‑
1150℃，从氧化炉氧化炉的尾部通入氧气，经过20小时的氧化过程。
[0005]Si+O2＝SiO2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0006]湿氧工艺：硅片在氧化炉氧化炉内，温度加热到600
‑
1150℃，从氧化炉氧化炉的尾部通过氮气为载体将水蒸汽通入氧化炉，经过6小时的氧化过程。
[0007]Si+H2O＝SiO2+H2ꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)
[0008]无论干氧工艺，还是湿氧工艺，在蒸发器通入氧化炉的管路都是悬空放置，无支撑装置，管路悬空容易导致出气不均匀，从而影响硅片氧化膜的生长，由于管路较重没有支撑装置，容易拉拽氧化炉的进气口，从而导致氧化炉进气口破损，造成氧化炉损坏的风险。

技术实现思路

[0009]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种用于氧化炉管路的支架。
[0010]本技术还提出一种具有上述支架的氧化炉管路维护系统。
[0011]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，包括：
[0012]底座，所述底座包括载台和两个侧支撑板，所述载台水平设置，所述载台的左右两端倾斜向下对称固定连接所述侧支撑板；
[0013]管托，用于支撑氧化炉进气管，所述管托通过支撑轴固定在所述底座的上方，所述管托包括水平板和两个侧挡板，所述水平板的底部中心固定在所述支撑轴上，所述水平板的两侧对称向上倾斜固定连接所述侧挡板，两个所述侧挡板与所述水平板限定形成容纳通
道。通过将氧化炉进气管放置于管托的容纳通道中，使得氧化炉进气管靠近氧化炉进气口的一端与氧化炉进气口齐平，容纳通道可以托起氧化炉进气管防止其脱出，氧化炉进气管通过支架托起后，氧化炉进气管不再悬空放置，可以有效防止由于管路重力损坏氧化炉进气口的问题，减少氧化炉损坏的风险，同时可以防止管路弯曲导致出气不均匀的问题，提高产品的良率，提高管路自身使用寿命。
[0014]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，两个所述侧支撑板的底部向外折弯形成水平的底板，以增加支架的稳固性和受力能力。
[0015]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述侧挡板与所述水平板之间夹角α为100
°‑
150
°
，所述载台与所述侧支撑板之间的夹角β为100
°‑
120
°
。
[0016]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述水平板上安装有压力传感器，所述侧支撑板上安装有压力报警警示灯、湿度传感器和控制器，所述控制器分别与压力传感器、压力报警警示灯和湿度传感器通讯连接。压力传感器用于检测氧化炉进气管的重量，当氧化炉进气管的重量异常时，压力传感器将检测到的异常值传输值控制器，控制器发出信号至压力报警警示灯，压力报警警示灯会闪烁；湿度传感器可实时监测氧化炉进气管周围湿度数值，可以检测蒸汽泄露，防止蒸汽泄露损坏设备。
[0017]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述支撑轴的下部设有螺纹，所述支撑轴的下部穿过所述载台中心，并在所述载台的上方和下方分别通过螺纹紧固件固定。如此可以对支架的高度进行手动调节，以对氧化炉进气管不同位置不同高度需求的位置点进行适应。
[0018]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述载台的下方设有驱动机构，所述支撑轴的下方穿过所述载台后与所述驱动机构连接，所述驱动机构用于驱动所述支撑轴上下升降运动。驱动机构用于驱动支撑轴上下升降运动，以对管托的托起高度进行自动调节。
[0019]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述支撑轴呈圆杆状，所述支撑轴的底部一体连接直线齿条，所述驱动机构包括双向驱动电机和齿轮，所述双向驱动电机的输出轴上固定连接齿轮，所述齿轮与所述直线齿条相啮合。
[0020]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述驱动电机的固定于安装架上，所述安装架固定于所述侧支撑板的内侧。所述载台的中心处开设有容纳支撑轴上下运动的中心孔，所述中心孔内安装有套筒，所述套筒与固定在中心孔内，所述支撑轴套设于所述套筒内。
[0021]根据本技术的用于氧化炉管路的支架，所述管托有多个，多个所述管托形成的容纳通道在一条直线上，多个所述管托间隔固定在托板上，所述托板的下表面中心固定在所述支撑轴的顶部。
[0022]根据本技术第二方面的氧化炉管路维护系统，包括根据本技术第一方面的用于氧化炉管路的支架。
[0023]一种氧化炉管路维护系统，还包括氧化炉、蒸发器、去离子水存储装置、氮气气源装置和氧气气源装置，所述去离子水存储装置的出水口通过水管与所述蒸发器的进水口连接，所述蒸发器的出气口与氧化炉的进气口之间通过氧化炉进气管连通，所述氧化炉进气管的外侧套设保温套管，所述氮气气源装置的出气口通过气管一连通至所述氧化炉进气管靠近蒸发器出气口的一端，所述水管上安装有电磁阀三，所述气管一上按照气体流动方向
依次安装有气体流量计一、电磁阀一和单向阀，所述氧气气源装置的出气口通过气管二连通至所述电磁阀一与所述单向阀之间的气管一上，所述气管二按照气体流动方向依次安装有气体流量计二和电磁阀二，所述氧化炉进气管支撑于支架上。
[0024]根据本技术的氧化炉管路维护系统，通过设置上述第一方面的用于氧化炉管路的支架，解决由于管路重力损坏氧化炉进气口的问题，减少氧化炉损坏的风险，解决管路弯曲导致出气不均匀的问题，提高产品的良率，提高管路自身使用寿命，减少维护成本。
[0025]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0026]图1是根据本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于氧化炉管路的支架，其特征在于，包括：底座，所述底座包括载台和两个侧支撑板，所述载台水平设置，所述载台的左右两端倾斜向下对称固定连接所述侧支撑板；管托，用于支撑氧化炉进气管，所述管托通过支撑轴固定在所述底座的上方，所述管托包括水平板和两个侧挡板，所述水平板的底部中心固定在所述支撑轴上，所述水平板的两侧对称向上倾斜固定连接所述侧挡板，两个所述侧挡板与所述水平板限定形成容纳通道。2.根据权利要求1所述的用于氧化炉管路的支架，其特征在于，两个所述侧支撑板的底部向外折弯形成水平的底板。3.根据权利要求1所述的用于氧化炉管路的支架，其特征在于，所述侧挡板与所述水平板之间夹角α为100
°‑
150
°
，所述载台与所述侧支撑板之间的夹角β为100
°‑
120
°
。4.根据权利要求1所述的用于氧化炉管路的支架，其特征在于，所述支撑轴的下部设有螺纹，所述支撑轴的下部穿过所述载台中心，并在所述载台的上方和下方分别通过螺纹紧固件固定。5.根据权利要求1所述的用于氧化炉管路的支架，其特征在于，所述载台的下方设有驱动机构，所述支撑轴的下方穿过所述载台后与所述驱动机构连接，所述驱动机构用于驱动所述支撑轴上下升降运动。6.根据权利要求5所述的用于氧化炉管路的支架，其特征在于，所述驱动机构包括双向驱动电机、齿轮和直线齿条，所述支撑轴呈圆杆状，所述支撑轴的底部一体连接所述直线齿条，所述双向驱动电机的输出轴上固定连接齿轮，所述齿轮与所述直线齿条相啮合。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：徐未来，林洋，张凯，姚均豹，靳硕，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：