切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：切割带，其具有基材和设置于基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于切割带的压敏胶黏层上。晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。量为75质量％以上。量为75质量％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种切割晶粒接合(dicing/die
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bonding)一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，半导体装置经过以下工序而制造。首先，在切割用压敏胶片(pressure
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sensitive adhesive sheet)上贴附半导体晶圆，在该状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。然后，实施拾取工序、压接工序及晶粒接合工序等。专利文献1公开了一种黏合胶黏片(切割晶粒接合片)，该黏合胶黏片同时具有在切割工序中固定半导体晶圆的功能和在晶粒接合工序中使半导体芯片与基板黏合的功能。在切割工序中，通过将半导体晶圆及黏合剂层单片化，得到带有黏合剂片的芯片。
[0003]近年来，已普及进行电力的控制等的称为功率半导体装置的装置。功率半导体装置容易因供给的电流而产生热，要求优异的散热性。专利文献2公开了一种固化后的散热性高于固化前的散热性的导电性膜状黏合剂及膜状带有黏合剂的切割带。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2008
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218571号公报
[0007]专利文献2：日本专利第6396189号公报

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]然而，以往的切割晶粒接合一体型膜的散热性并不充分，仍有改善的余地。
[0010]因此，本专利技术的一方式的目的在于提供一种具有优异的散热性的切割晶粒接合一体型膜。
[0011]用于解决技术课题的手段
[0012]本专利技术人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，当含银粒子在表面具有氧化物层(氧化膜)时，与不具有氧化物层(氧化膜)的情况相比，具有散热性变得不充分的倾向。本专利技术人等进一步进行了研究，结果发现，通过使晶粒接合膜含有助熔剂，显现优异的散热性，从而完成了本专利技术。
[0013]本专利技术的一方式涉及一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜含有表面具有氧化物层(氧化膜)的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。根据这样的切割晶粒接合一体型膜，能够具有优异的散热性。发挥这样的效果的理由未必明确，但例如可以认为，助熔剂充分地还原去除金属表面的氧化物层(氧化膜)，进而维持该状态。
[0014]助熔剂可以为芳香族羧酸。在具备压敏胶黏层和黏合剂层的切割晶粒接合一体型
膜中，若压敏胶黏层与黏合剂层的黏合强度没有充分地降低，则在后续的拾取工序中，有时会产生无法从压敏胶黏层拾取带有黏合剂片的芯片的不良情况。通过使用芳香族羧酸作为助熔剂，能够充分地降低照射紫外线后的压敏胶黏层与黏合剂层的黏合强度。
[0015]晶粒接合膜也可以还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。含有这些的晶粒接合膜具有容易调整表面粗糙度(Ra)的倾向。
[0016]热固性树脂也可以含有在25℃为液状的环氧树脂。通过热固性树脂含有这样的环氧树脂，具有容易得到表面粗糙度(Ra)得到改善的晶粒接合膜的倾向。
[0017]本专利技术的另一方式涉及一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法包括：将上述切割晶粒接合一体型膜的晶粒接合膜贴附到半导体晶圆的工序；将半导体晶圆及晶粒接合膜单片化的工序；从切割带拾取附着有晶粒接合膜片的半导体芯片的工序；以及隔着晶粒接合膜片，将半导体芯片黏合于支撑基板的工序。该半导体装置的制造方法还可以包括：在将半导体晶圆及晶粒接合膜单片化的工序之后，对压敏胶黏层照射紫外线的工序。根据这样的半导体装置的制造方法，由于使用上述切割晶粒接合一体型膜，因此能够制造散热性优异的半导体装置。
[0018]本专利技术的另一方式涉及一种晶粒接合膜。该晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本专利技术，公开了一种具有优异的散热性的切割晶粒接合一体型膜。一些形态的切割晶粒接合一体型膜能够充分地降低照射紫外线后的压敏胶黏层与黏合剂层的黏合强度。并且，根据本专利技术，提供一种使用这样的切割晶粒接合一体型膜的半导体装置的制造方法。进而，根据本专利技术，提供一种适合用于这样的切割晶粒接合一体型膜的晶粒接合膜。
附图说明
[0021]图1是表示晶粒接合膜的一实施方式的示意剖视图。
[0022]图2是表示切割晶粒接合一体型膜的一实施方式的示意剖视图。
[0023]图3是表示半导体装置的制造方法的一实施方式的示意剖视图。图3(a)、(b)、(c)、(d)、(e)及(f)是示意性地表示各工序的剖视图。
[0024]图4是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
[0025]以下，适当参考附图对本专利技术的实施方式进行说明。然而，本专利技术并不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，除了特别明示的情况以外，其构成要素(也包括步骤等)不是必须的。各图中的构成要素的大小为概念性的大小，构成要素之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
[0026]关于本说明书中的数值及其范围也相同，并不限制本专利技术。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围内，一个数值范围所记载的上限值或下限值可以替换成其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中记载的数值范围内，该数值范围的上限值或下限值可以替换成实施例中所示的值。
[0027]在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其对应的甲基丙烯酸酯。关于(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他类似表述也相同。
[0028][晶粒接合膜][0029]图1是表示晶粒接合膜的一实施方式的示意剖视图。图1所示的晶粒接合膜10具有第1表面10A及与第1表面10A相反的一侧的第2表面10B。如后述，第1表面10A可以为配置于切割带的压敏胶黏层上的表面。如图1所示，晶粒接合膜10也可以设置于支撑膜20上。晶粒接合膜10具有热固性，经过半固化(B阶段)状态，在固化处理后能够成为完全固化物(C阶段)状态。
[0030]晶粒接合膜10含有(a)表面具有氧化物层的含银粒子及(b)助熔剂，根据需要，也可以还含有(c)热固性树脂、(d)固化剂及(f)弹性体。
[0031](a)成分：表面具有氧化物层的含银粒子
[0032](a)成分为用于提高晶粒接合膜的散热性的成分。含银粒子例如可以为由银构成的银粒子或用银包覆金属粒子(铜粒子等)的表面而成的银包覆金属粒子(银包覆铜粒子等)。含银粒子可以为由银构成的银粒子。
[0033]由于含银粒子中的银具有容易被氧化的性质，因此未用保护材料等进行表面处理的含银粒子通常具有在表面具有氧化物层(氧化膜)的倾向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备：切割带，其具有基材和设置于所述基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于所述切割带的所述压敏胶黏层上，所述晶粒接合膜含有表面具有氧化物层的含银粒子和助熔剂，以晶粒接合膜的总量为基准，所述含银粒子的含量为75质量％以上。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述助熔剂为芳香族羧酸。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。4.根据权利要求3所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述热固性树脂含有在25℃为液状的环氧树脂。5.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接合一体型膜的所述晶粒接合膜贴附到半导体晶圆的工序；将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：板垣圭，谷口纮平，平本祐也，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：