切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：切割带，其具有基材和设置于基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于切割带的压敏胶黏层上。晶粒接合膜含有用饱和脂肪酸进行表面处理的含银粒子。以晶粒接合膜的总量为基准，含银粒子的含量为75质量％以上。量为75质量％以上。量为75质量％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割晶粒接合一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种切割晶粒接合(dicing/die
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bonding)一体型膜、晶粒接合膜及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，半导体装置经过以下工序而制造。首先，在切割用压敏胶片(pressure
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sensitive adhesive sheet)上贴附半导体晶圆，在该状态下将半导体晶圆单片化为半导体芯片(切割工序)。然后，实施紫外线照射工序、拾取工序、压接工序及晶粒接合工序等。专利文献1公开了一种黏合胶黏片(切割晶粒接合片)，该黏合胶黏片同时具有在切割工序中固定半导体晶圆的功能和在晶粒接合工序中使半导体芯片与基板黏合的功能。在切割工序中，通过将半导体晶圆及黏合剂层单片化，得到带有黏合剂片的芯片。
[0003]近年来，已普及进行电力的控制等的称为功率半导体装置的装置。功率半导体装置容易因供给的电流而产生热，要求优异的散热性。专利文献2公开了一种固化后的散热性高于固化前的散热性的导电性膜状黏合剂及膜状带有黏合剂的切本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备：切割带，其具有基材和设置于所述基材上的压敏胶黏层；以及晶粒接合膜，其配置于所述切割带的所述压敏胶黏层上，所述晶粒接合膜含有用饱和脂肪酸进行表面处理的含银粒子，以晶粒接合膜的总量为基准，所述含银粒子的含量为75质量％以上。2.根据权利要求1所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述饱和脂肪酸的碳原子数为8～20。3.根据权利要求1或2所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述晶粒接合膜还含有热固性树脂、固化剂及弹性体。4.根据权利要求3所述的切割晶粒接合一体型膜，其中，所述热固性树脂含有在25℃为液状的环氧树脂。5.一种半导体装置的制造方法，其包括：将权利要求1至4中任一项所述的切割晶粒接...

【专利技术属性】
技术研发人员：板垣圭，谷口纮平，平本祐也，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：