膜上芯片封装制造技术

提供了膜上芯片封装。所述膜上芯片封装包括：膜基板，具有基膜、在所述基膜上沿第一方向延伸的导电焊盘、以及从所述导电焊盘延伸的导电线图案；半导体芯片，设置在所述膜基板上；以及凸块结构，设置在所述半导体芯片与所述导电焊盘之间。所述凸块结构的第一外周壁和第二外周壁沿所述第一方向延伸并限定沟槽，所述导电焊盘的一部分设置在所述沟槽中，并且所述导电焊盘与所述第一外周壁和所述第二外周壁中的至少一个间隔开。至少一个间隔开。至少一个间隔开。

【技术实现步骤摘要】
膜上芯片封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年8月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0101525的优先权，并在此通过引用完整地并入其公开内容。


[0003]与示例实施例一致的方法、装置及系统涉及膜上芯片封装和包括该膜上芯片封装的显示设备，更具体地，涉及在其上安装显示驱动集成电路的膜上芯片封装及包括该膜上芯片封装的显示设备。

技术介绍

[0004]膜上芯片(COF)封装包括半导体芯片，例如安装在膜基板上的显示驱动集成电路。在COF封装中，半导体芯片可以通过凸块结构电连接到膜基板的引线。因为显示设备最近已经小型化，所以需要用于在以精细的间距布置膜基板的引线的同时改善凸块结构与引线之间的电连接的可靠性的技术。

技术实现思路

[0005]一个或多个示例实施例提供了具有改善的可靠性的膜上芯片封装。
[0006]一个或多个示例实施例还提供了一种包括具有改善的电气连接可靠性的膜上芯片封装的显示设备。
[0007本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种膜上芯片封装，包括：膜基板，包括基膜、在所述基膜上沿第一方向延伸的导电焊盘、以及从所述导电焊盘延伸的导电线图案；半导体芯片，设置在所述膜基板上；以及凸块结构，设置在所述半导体芯片与所述导电焊盘之间，其中，所述凸块结构的第一外周壁和第二外周壁沿所述第一方向延伸并限定沟槽，其中，所述导电焊盘的一部分设置在所述沟槽中，并且其中，所述导电焊盘与所述第一外周壁和所述第二外周壁中的至少一个间隔开。2.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述第一外周壁和所述第二外周壁均在所述第一方向上从所述凸块结构的第一边沿延伸到所述凸块结构的第二边沿。3.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述沟槽在所述第一方向上从所述凸块结构的第一边沿延伸到所述凸块结构的第二边沿，其中，所述导电焊盘在所述第一方向上的长度大于所述沟槽在所述第一方向上的长度，并且其中，所述导电焊盘从所述第一边沿和所述第二边沿中的每一个向外突出。4.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述沟槽在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度大于所述导电焊盘在所述第二方向上的宽度，并且其中，所述导电焊盘与所述第一外周壁或所述第二外周壁接触。5.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述沟槽在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度大于所述导电焊盘在所述第二方向上的宽度，并且其中，所述导电焊盘与所述第一外周壁和所述第二外周壁二者间隔开。6.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述沟槽的竖直高度在约0.2μm和约2μm之间。7.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述导电焊盘在与所述第一方向垂直的第二方向上的宽度小于所述导电线图案在所述第二方向上的宽度。8.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述导电焊盘包括：包括第一金属的核心导电层；以及第一导电覆盖层，包括与所述第一金属不同的第二金属并且设置在所述核心导电层与所述凸块结构之间。9.根据权利要求8所述的膜上芯片封装，其中，所述第一金属包括铜，并且其中，所述第二金属包括锡。10.根据权利要求9所述的膜上芯片封装，其中，所述凸块结构包括：包括第三金属的柱状层；以及第二导电覆盖层，包括与所述第三金属不同的第四金属并且设置在所述柱状层与所述导电焊盘之间。11.根据权利要求1所述的膜上芯片封装，其中，所述半导体芯片包括：衬底；设置在所述衬底上的芯片焊盘；以及钝化层，设置在所述芯片焊盘的一部分上并且限定了显露所述芯片焊盘的开口，
其中，所述凸块结构通过所述钝化层中的所述开口连接到所述芯片焊盘，并且其中，在与所述膜基板的表面垂直的第三方向上，所述凸块结构的所述沟槽与所述钝化层中的所述开口交叠。12.根据权利要求11所述的膜上芯片封装，其中，所述开口在所述第一方向上的第一宽度大于所述开口在与所述第一方向垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩相旭，郑在珉，河政圭，李冠在，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：