半导体封装件制造技术

本公开提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。本公开的半导体封装件包括彼此电连接的第一装置和第二装置，第一装置包括衬底、形成在衬底的上侧的第一焊盘和形成在衬底的上侧并且形成为包围第一焊盘的钝化膜，第二装置包括布置为面对第一焊盘的第二焊盘，并且第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，边缘焊盘形成为包围中心焊盘并且接触钝化膜。钝化膜。钝化膜。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件


[0001]本公开涉及一种半导体封装件。更具体地说，本公开涉及利用应力松弛焊盘(边缘焊盘)减小钝化膜的热应力。

技术介绍

[0002]由于对高规格套件的需求和高带宽存储器(HBM)的采用，插入件市场正在增长。例如，在使用硅基插入件的半导体封装件的情况下，可以通过在硅基插入件上表面安装半导体芯片，并通过使用模制材料将安装的半导体芯片模制来制造半导体封装件。
[0003]另一方面，由于近年来套件的高规格，高带宽存储器的数量增加了，半导体封装件的尺寸也扩大了。这导致热膨胀系数(CTE)差异导致的应力增加、增加半导体封装件的工艺难度、以及降低成品率的问题。

技术实现思路

[0004]本公开的各方面提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。
[0005]然而，本公开的各方面不限于本文阐述的这些。通过参照下面提供的本公开的具体实施方式，本公开的上面和其它方面将对于本公开所属领域的普通技术人员之一变得更清楚。
[0006]根据本公开的一方面，提供了一种半导体封装件，该半导体封装件包括：彼此电连接的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：彼此电连接的第一装置和第二装置，其中，所述第一装置包括衬底、形成在所述衬底的上侧的第一焊盘和形成在所述衬底的上侧并且形成为包围所述第一焊盘的钝化膜，所述第二装置包括布置为面对所述第一焊盘的第二焊盘，并且所述第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于所述第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，所述边缘焊盘形成为包围所述中心焊盘并接触所述钝化膜。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘在所述中心焊盘与所述钝化膜之间在水平方向上的宽度为1μm或更大且10μm或更小。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一焊盘和所述第二焊盘通过焊料凸块彼此电连接。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中心焊盘的上侧和所述边缘焊盘的上侧位于相同平面上。6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中，所述钝化膜的上侧与所述中心焊盘的上侧和所述边缘焊盘的上侧位于相同平面上。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述中心焊盘包括导电材料，并且所述边缘焊盘包括绝缘材料。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘包括基于氧化物的绝缘材料，并且所述钝化膜包括基于氮化物的绝缘材料。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述边缘焊盘包括与所述中心焊盘接触的内侧和与所述内侧相对的外侧，并且所述外侧的形状是圆形、四边形、三角形或六边形。10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，在截面中，所述边缘焊盘包括分别置于所述中心焊盘的一侧和另一侧的第一边缘焊盘和第二边缘焊盘，并且所述第一边缘焊盘的宽度与所述第二边缘焊盘的宽度不同。11.根据权利要求10所述的半导体封装件，还包括：焊料凸块，其将所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接，所述第一边缘焊盘在竖直方向上与所述焊料凸块完全重叠，并且所述第二边缘焊盘包括在所述竖直方向上不与所述焊料凸块重叠的部分。12.一种半导体封装件，包括：插入件衬底；以及半导体芯片，其安装在所述插入件衬底上，并且电连接至所述插入件衬底，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢炯均，柳根豪，裴相友，裴真秀，崔德瑄，崔镒朱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：