一种具有高互连密度硅通孔的封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种具有高互连密度硅通孔的封装结构，包括：衬底；高互连密度硅通孔，其位于衬底中，包括：通孔；第一电隔离结构，其布置在通孔的内壁；第二电隔离结构，其布置在通孔的中部；第三绝缘介质层，其位于衬底的正面；第一重布线层，其位于第三绝缘介质层中，并与高互连密度硅通孔电连接；第一焊盘，其布置在第一重布线层上；第一凸点，其布置在第一焊盘上；芯片，其布置在第一凸点上；塑封层，其塑封芯片；第四绝缘介质层，其位于衬底的背面；第二重布线层，其位于第四绝缘介质层中，并与高互连密度硅通孔电连接；第二焊盘，其布置在第二重布线层上；以及第二凸点，其布置在第二焊盘上。其布置在第二焊盘上。其布置在第二焊盘上。

【技术实现步骤摘要】
一种具有高互连密度硅通孔的封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种具有高互连密度硅通孔的封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的飞快发展，电子产品朝着小型化、高集成度、高性能的方向发展，传统的封装形式已经越来越难以满足要求。硅通孔(TSV)技术作为现代最先进的封装技术，广泛的应用于微电子领域。TSV互连提供了超越“摩尔定律”的思路，近年来得到飞速发展，具有低功耗、高电性能、更小的封装尺寸等特点。
[0003]一般通过增加TSV的数量来获得更大的互连密度，以更好地满足电子产品的小型化、高集成度及高性能需求。由于TSV内导电金属和硅的热膨胀系数不一致，通过增加TSV数量增加垂直互连的密度方法存在极限，在封装结构中设置过多的TSV，会使多个TSV之间的Si被挤裂而带来稳定性问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的任务是提供一种具有高互连密度硅通孔的封装结构及其形成方法，在封装结构中设置具有绝缘介质层
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导电介质层
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绝缘介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有高互连密度硅通孔的封装结构，其特征在于，包括：衬底；高互连密度硅通孔，其位于所述衬底中，所述高互连密度硅通孔包括：通孔，其位于所述衬底中；第一电隔离结构，其布置在所述通孔的内壁；第二电隔离结构，其布置在所述通孔的中部；第三绝缘介质层，其位于所述衬底的正面；第一重布线层，其位于所述第三绝缘介质层中，并与所述高互连密度硅通孔电连接；第一焊盘，其布置在所述第一重布线层上；第一凸点，其布置在所述第一焊盘上；芯片，其布置在所述第一凸点上；塑封层，其塑封所述芯片；第四绝缘介质层，其位于所述衬底的背面；第二重布线层，其位于所述第四绝缘介质层中，并与所述高互连密度硅通孔电连接；第二焊盘，其布置在所述第二重布线层上；以及第二凸点，其布置在所述第二焊盘上。2.根据权利要求1所述的具有高互连密度硅通孔的封装结构，其特征在于，所述第一电隔离结构包括：第一绝缘介质层，其布置在所述通孔的内壁；以及第一导电介质层，其覆盖所述第一绝缘介质层。3.根据权利要求2所述的具有高互连密度硅通孔的封装结构，其特征在于，所述第二电隔离结构包括：第二绝缘介质层，其覆盖所述第一导电介质层；以及第二导电介质层，其填充所述通孔。4.根据权利要求3所述的具有高互连密度硅通孔的封装结构，其特征在于，所述第一重布线层与所述第一导电介质层和所述第二导电介质层电连接；和/或所述第二重布线层与所述第一导电介质层和所述第二导电介质层电连接。5.一种具有高互连密度硅通孔的封装结构的形成方法，其特征在于，包括：在衬底的正面形成通孔；在衬底的正面及通孔的内壁和底部布置第一绝缘介质层；在第一绝缘介质层上布置第一导电介质层，并进行退火处理；去除位于衬底正面的第一绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：