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本发明涉及一种具有高互连密度硅通孔的封装结构，包括：衬底；高互连密度硅通孔，其位于衬底中，包括：通孔；第一电隔离结构，其布置在通孔的内壁；第二电隔离结构，其布置在通孔的中部；第三绝缘介质层，其位于衬底的正面；第一重布线层，其位于第三绝缘介质...
该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。

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