一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品技术

本发明专利技术公开一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品,微结构图形制备方法包括以下步骤：S1：清洗基板；S2：在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层；S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形；S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面形成微结构图形；微结构图形包括多个微结构单元，微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。本发明专利技术通过在基板进行特殊处理，使其表面具有特定的微结构图形，得到良好且触觉感各异的顺滑感知。得到良好且触觉感各异的顺滑感知。得到良好且触觉感各异的顺滑感知。

【技术实现步骤摘要】
一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品


[0001]本专利技术属于表面微结构制备的
，具体涉及一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品。

技术介绍

[0002]现今的消费电子市场中，触控元件广泛应用于各式各样的消费电子装备。作为用户与电子产品之间最直接的信息传输媒介，对于触控元件的触感精度和体验感的追求随着时间越来越高，而价格逐渐降低，这表明用于消费电子应用的任何触摸传感器装置必须具有高的性价比。
[0003]目前常见的触控原件基本是在玻璃材料上利用硼砂溅射玻璃表面，实现凹坑或凸台的方式形成不可控的微结构达到有限的触感状态。
[0004]具有顺滑触感的消费类电子产品是市场期望的，但目前产生顺滑触感的表面加工方式，例如复合涂层、激光加工、等离子加工等，工艺或复杂或昂贵或无规律可循。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提出了一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0007]一方面，本专利技术公开一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法，包括以下步骤：
[0008]S1：清洗基板；
[0009]S2：在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层；
[0010]S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形；
[0011]S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面形成微结构图形；/>[0012]微结构图形包括多个微结构单元，微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。
[0013]在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：
[0014]作为优选的方案，基板的材料为玻璃、石英、蓝宝石、金属中的一种或多种。
[0015]作为优选的方案，S2中，光刻胶掩膜层的厚度范围为0.5～13μm。
[0016]作为优选的方案，S4中，利用ICP干法刻蚀设备进行刻蚀。
[0017]作为优选的方案，多个微结构单元按照周期值呈随机分布或矩阵分布。
[0018]作为优选的方案，微结构单元的结构为圆柱型、圆锥型、圆凸台型、鼓包型中的一种或多种。
[0019]作为优选的方案，微结构单元的结构为圆锥型时，圆锥的高度H的范围为0.5～5μ
m，圆锥的底部直径D范围为0.1～30μm，D/H的范围为2～10。
[0020]作为优选的方案，周期值范围为4～30μmm。
[0021]作为优选的方案，在S2之前，还包括：微结构图形的生成方法，具体包括以下内容：向处理器输入基板的材料，处理器通过计算分析得出微结构单元的具体结构、参数以及分布类型。
[0022]此外，本专利技术还公开一种利用上述任一种微结构图形制备方法获得的微结构图形。
[0023]本专利技术公开一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品，通过在基板进行特殊处理，使其表面具有特定的微结构图形，得到良好且触觉感各异的顺滑感知。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1为本专利技术实施例提供的微结构图形制备方法的流程图。
[0026]图2为本专利技术实施例提供的基板处理流程图。
[0027]图3为本专利技术实施例提供的随机分布的微结构单元的示意图。
[0028]图4为本专利技术实施例提供的矩阵分布的微结构单元的示意图。
[0029]其中：1
‑
基板,2
‑
光刻胶掩膜层,3
‑
纳米压印掩膜图形,4
‑
微结构图形。
具体实施方式
[0030]下面结合附图详细说明本专利技术的优选实施方式。
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]使用序数词“第一”、“第二”、“第三”等等来描述普通对象仅仅表示涉及类似对象的不同实例，并且并不意图暗示这样被描述的对象必须具有时间上、空间上、排序方面或者以任意其它方式的给定顺序。
[0033]另外，“包括”元件的表述是“开放式”表述，该“开放式”表述仅仅是指存在对应的部件或步骤，不应当解释为排除附加的部件或步骤。
[0034]为了达到本专利技术的目的，一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法及产品的其中一些实施例中。
[0035]如图1和2所示，微结构图形制备方法包括以下步骤：
[0036]S1：清洗基板1；
[0037]S2：在基板1的表面采用旋涂或喷涂的方式涂覆一层光刻胶掩膜层2；
[0038]S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形3；
[0039]S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面
形成微结构图形4；
[0040]微结构图形包括多个微结构单元，微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。
[0041]其中，基板的材料为玻璃、石英、蓝宝石、金属中的一种或多种。微结构单元的深宽比在1：10时其顺滑感最佳。
[0042]为了进一步地优化本专利技术的实施效果，在另外一些实施方式中，其余特征技术相同，不同之处在于，S2中，光刻胶掩膜层的厚度范围为0.5～13μm。
[0043]为了进一步地优化本专利技术的实施效果，在另外一些实施方式中，其余特征技术相同，不同之处在于，S4中，利用ICP干法刻蚀设备进行刻蚀。
[0044]为了进一步地优化本专利技术的实施效果，在另外一些实施方式中，其余特征技术相同，不同之处在于，多个微结构单元按照周期值呈随机分布,如图3所示。
[0045]在另外一些实施例中，多个微结构单元按照周期值呈矩阵分布,如图4所示。
[0046]在同等条件下，随机分布的微结构图形的触感较矩阵分布的微结构图形的触感更顺滑。
[0047]为了进一步地优化本专利技术的实施效果，在另外一些实施方式中，其余特征技术相同，不同之处在于，微结构单元的结构为圆柱型、圆锥型、圆凸台型、鼓包型中的一种或多种。
[0048]图形结构顺滑感体验上，鼓包型＞圆凸台型＞圆锥型＞圆柱型。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于改善材质表面触感的微结构图形制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：清洗基板；S2：在基板的表面涂覆一层光刻胶掩膜层；S3：对基板进行纳米压印，在基板的表面形成微纳米压印掩膜图形；S4：将带有光刻胶微纳米压印掩膜图形的基板进行刻蚀，刻蚀完成后，在基板表面形成微结构图形；所述微结构图形包括多个微结构单元，所述微结构单元的宽度范围为0.5～30um，高度范围为1.5～30um，深宽比范围为1：1～1：16，雾度范围为30％～80％，透过率范围为10％～60％。2.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，所述基板的材料为玻璃、石英、蓝宝石、金属中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，S2中，光刻胶掩膜层的厚度范围为0.5～13μm。4.根据权利要求1所述的微结构图形制备方法，其特征在于，S4中，利用ICP干法刻蚀设备进行刻蚀。5.根据权利要求1所述的微结构图形制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李其凡，史晓华，袁国华，徐明金，
申请(专利权)人：苏州光舵微纳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：