非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰制造技术

本公开涉及非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰。一种存储器装置，其包含：非选定子块，其包含位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与源极电压耦合；以及字线，其与单元串的栅极耦合，单元串具有耦合在SGS/SGD晶体管之间的沟道。与非选定子块耦合的控制逻辑进行以下操作：在使多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使SGD/SGS晶体管导通以准备读取操作；在使字线斜变时，通过将位线和源极电压线上的电压斜变到大于源极读取电压电平的目标电压来对沟道进行预充电；以及响应于字线达到通过电压，使SGD晶体管和SGS晶体管关断，以使沟道在读取操作期间预充电到目标电压。作期间预充电到目标电压。作期间预充电到目标电压。

【技术实现步骤摘要】
非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，并且更具体地说，涉及非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。所述存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统以在存储器装置处存储数据并且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]根据本申请的方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：非选定子块，其包括：位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与所述位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与所述源极电压线耦合；以及多个字线，其与存储器单元串的栅极耦合，其中所述存储器单元串包括耦合在所述SGS晶体管与所述SGD晶体管之间的沟道；以及控制逻辑，其操作性地与所述非选定子块耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：在将所述多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使所述SGD晶体管和所述SGS晶体管导通以准备读取操作；在使所述多个字线斜变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：非选定子块，其包括：位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与所述位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与所述源极电压线耦合；以及多个字线，其与存储器单元串的栅极耦合，其中所述存储器单元串包括耦合在所述SGS晶体管与所述SGD晶体管之间的沟道；以及控制逻辑，其操作性地与所述非选定子块耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：在将所述多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使所述SGD晶体管和所述SGS晶体管导通以准备读取操作；在使所述多个字线斜变时，通过将所述位线和所述源极电压线上的电压斜变到大于源极读取电压电平的目标电压来使所述沟道进行预充电；以及响应于所述多个字线达到所述通过电压，使所述SGD晶体管和所述SGS晶体管关断，以使所述沟道在所述读取操作期间预充电到所述目标电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述目标电压比所述源极读取电压电平高大约0.5V至2.0V。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述目标电压比所述源极读取电压电平高大约0.8V至1.5V。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，响应于所述多个字线达到所述通过电压，所述操作进一步包括：将所述位线的所述电压保持在所述目标电压；以及使所述源极电压线放电到源极读取电压电平。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中使所述SGD晶体管和所述SGS晶体管关断发生在使所述源极电压线放电之前。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中使所述沟道进行预充电包括在斜变所述源极电压线之后斜变所述位线的所述电压。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中使所述沟道进行预充电包括在使所述位线上的所述电压斜变之后使所述源极电压线的所述电压斜变。8.一种方法，其包括：在使与存储器单元串的栅极耦合的多个字线从接地电压斜变到与非选定字线相关联的通过电压时，使与位线耦合的漏极选择(SGD)晶体管导通以准备读取操作；在使所述多个字线斜变时，使与源极电压线耦合的源极选择(SGS)晶体管导通，其中所述存储器单元串耦合在所述SGD晶体管与所述SGS晶体管之间并且属于非选定子块；在使所述多个字线斜变时，通过将所述位线和所述源极电压线上的电压斜变到大于源极读取电压电平的目标电压来使所述存储器单元串的沟道进行预充电；以及响应于所述多个字线达到所述通过电压，使所述SGD晶体管和所述SGS晶体管关断，以使所述沟道在所述读取操作期间预充电到所述目标...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔宇，HY，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：