使用历史解码信息选择读取参考电压制造技术

本发明专利技术提供了一种用于从非易失性存储设备读取数据并对读取的数据进行解码的系统和方法。一种方法可以包括：获得待读取的存储位置的唯一标识符，从存储器中取得与唯一标识符相关联的读取参考电压(V

【技术实现步骤摘要】
使用历史解码信息选择读取参考电压


[0001]本公开涉及从非易失性存储设备读取数据并对数据进行解码，尤其涉及使用从先前解码操作中收集的历史信息来选择读取参考电压。

技术介绍

[0002]现代计算系统的发展的部分原因是由固态硬盘(SSD)的出现驱动的，固态硬盘显示出比传统硬盘更高的速度和延迟性能。与依赖于磁性来存储数据的硬盘驱动器不同，固态硬盘使用非易失性存储器(例如，NAND或NOR)设备来实现数据存储。非易失性存储设备是通过先进的工艺和组装技术制造的一系列集成电路，以实现存储单元的多层级垂直堆叠，使其成为小尺寸的颗粒和封装，实现高容量的存储。
[0003]所有存储系统都存在数据损坏的问题。纠正数据损坏的一种技术是使用纠错码(ECC)或前向纠错码(FEC)。多年来，人们开发了许多不同的编码方案，例如，汉明码、里德
‑
所罗门码、Turbo码、低密度奇偶校验(LDPC)码等。具有复杂ECC算法的控制器可能会使用大量资源，因此实现低误码率的技术仍然需要改进。

技术实现思路

[0004]本公开提供了一种使非易失本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其特征在于，包括：获取待读取的存储位置的唯一标识符；从存储器中取得与所述唯一标识符相关联的读取参考电压(V
ref
)调整量；使用采用所述V
ref
调整量调整过的读取参考电压对所述存储位置进行读取操作；在解码过程中对从所述存储位置读取的数据进行解码；以及使用所述解码过程中生成的解码信息更新所述V
ref
调整量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解码信息包括与存储在所述存储器中的V
ref
调整量不同的另一V
ref
调整量，并且更新所述V
ref
调整量包括使用所述另一V
ref
调整量来替代存储在所述存储器中的V
ref
调整量。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解码信息包括另一V
ref
调整量、从0到1的错误翻转计数(EFC0‑
>1
)和从1到0的错误翻转计数(EFC1‑
>0
)，并且其中更新所述V
ref
调整量包括：确定包括在所述解码信息中的所述另一V
ref
调整量与存储在所述存储器中的V
ref
调整量相同；计算EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值,所述平均值是基于多个最近的解码过程产生的解码信息计算的；确定所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值与用来计算所述平均值的最近解码过程的数量均达到阈值；生成新的V
ref
调整量并将所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量重置为0；以及存储所述新的V
ref
调整量、重置为0的所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值以及重置为0的用来计算所述平均值的最近解码过程的数量到所述存储器。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解码信息包括另一V
ref
调整量、从0到1的错误翻转计数(EFC0‑
>1
)和从1到0的错误翻转计数(EFC1‑
>0
)，并且其中更新所述V
ref
调整量包括：确定包括在所述解码信息中的所述另一V
ref
调整量与存储在所述存储器中的V
ref
调整量相同；计算EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值,所述平均值是基于多个最近的解码过程产生的解码信息计算的；确定所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值和用来计算所述平均值的最近解码过程的数量有至少一个未达到其各自的阈值；以及使用所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量来更新存储器里的记录。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述解码信息包括从0到1的错误翻转计数(EFC0‑
>1
)和从1到0的错误翻转计数(EFC1‑
>0
)，并且其中更新所述V
ref
调整量包括：计算EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值平均值的新值,所述平均值是基于多个最近的解码过程产生的解码信息计算的；确定所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间差值的平均值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量是否达到阈值；
如果两个都达到阈值，则生成新的V
ref
调整量并将所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量重置为0；以及如果其中任一阈值没有达到，则使用所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量来更新存储器里的记录。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述解码信息还包括另一V
ref
调整量,其中更新所述V
ref
调整量还包括：确定包括在所述解码信息中的所述另一V
ref
调整量与存储在所述存储器中的V
ref
调整量相同。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器使用所述存储位置的唯一标识符作为索引来存储所述V
ref
调整量。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储位置的唯一标识符是物理数据地址(PDA)。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括使用缓存算法缓存所述V
ref
调整量。10.一种存储系统控制器，其特征在于，包括：逻辑数据地址(LDA)到物理数据地址(PDA)映射器，所述映射器被配置为获取LDA的PDA；读取参考电压(V
ref
)搜索控制器，被配置为从存储器中取得与所述PDA相关联的V
ref
调整量；NAND接口控制器，被配置为发出读取命令以读取由所述PDA标识的存储位置；一个或多个ECC解码器，被配置为在解码过程中对由所述读取命令读取的数据进行解码；以及V
ref
更新控制器，被配置为使用解码过程中生成的解码信息更新所述V
ref
调整量。11.根据权利要求10所述的存储系统控制器，其特征在于，所述解码信息包括与存储在所述存储器中的V
ref
调整量不同的另一V
ref
调整量，并且更新所述V
ref
调整量包括使用所述另一V
ref
调整量来替代存储在所述存储器中的V
ref
调整量。12.根据权利要求10所述的存储系统控制器，其特征在于，所述解码信息包括另一V
ref
调整量、从0到1的错误翻转计数(EFC0‑
>1
)和从1到0的错误翻转计数(EFC1‑
>0
)，并且其中更新所述V
ref
调整量包括：确定包括在所述解码信息中的所述另一V
ref
调整量与存储在所述存储器中的V
ref
调整量相同；计算EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值的新值,所述平均值是基于多个最近的解码过程产生的解码信息计算的；确定所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值与用来计算所述平均值的最近解码过程的数量均达到阈值；生成新的V
ref
调整量并将所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0
之间的差值的平均值以及用来计算所述平均值的最近解码过程的数量重置为0；以及存储所述新的V
ref
调整量、重置为0的所述EFC0‑
>1
和EFC1‑
>0

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：英韧科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：