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本公开涉及非选定子块源极线和位线进行预充电以减少读取干扰。一种存储器装置，其包含：非选定子块，其包含位线；漏极选择(SGD)晶体管，其与位线耦合；源极电压线；源极选择(SGS)晶体管，其与源极电压耦合；以及字线，其与单元串的栅极耦合，单元串...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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