半导体装置以及电力变换装置制造方法及图纸

缓和对半导体装置的表面电极的恶劣影响。半导体装置具备：第1阱区域，形成于漂移层的上表面的表层；栅极电极；第2阱区域，在俯视时包围第1阱区域；以及栅极部，覆盖层间绝缘膜和从层间绝缘膜露出的栅极电极。而且，栅极电极的外侧端部比栅极部的外侧端部更远离第1阱区域、并且比第2阱区域的外侧端部更接近第1阱区域。域。域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及电力变换装置


[0001]本申请说明书公开的技术涉及半导体装置以及电力变换装置。

技术介绍

[0002]以往已知在功率器件等中使用的纵型的半导体装置中，为了确保耐压性能，在n型的半导体层的外周部的所谓终端区域设置p型的保护环区域(终端阱区域)的技术(例如参照专利文献1)。
[0003]在具备保护环区域的半导体装置中，在对半导体装置的主电极施加逆电压时产生的电场通过n型的半导体层与p型的保护环区域之间的pn结形成的耗尽层被缓和，能够避免额定电压以下的雪崩击穿或者电极端部处的破坏等。
[0004]在专利文献1所示的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)中，p
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型的杂质区域以比位于表面电极的最外周的栅极焊盘电极以及栅极布线电极更向外周伸出的方式被形成。关于这样的MOSFET等半导体装置，通常，表面电极除了进行线键合的区域以外通过聚酰亚胺等表面保护膜覆盖。另外，表面电极还有时使用凝胶等密封材料密封。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，具备：第1导电类型的漂移层；第2导电类型的第1阱区域，形成于所述漂移层的上表面的表层；第1导电类型的源极区域，形成于所述第1阱区域的表层；栅极绝缘膜，与被所述源极区域和所述漂移层夹着的所述第1阱区域接触地形成；栅极电极，与所述栅极绝缘膜接触地形成；层间绝缘膜，覆盖所述栅极电极；源极电极，覆盖在所述漂移层的所述上表面露出的所述源极区域以及所述层间绝缘膜；背面电极，形成于所述漂移层的下表面侧；第2导电类型的第2阱区域，形成于所述漂移层的所述上表面的所述表层，并且在俯视时包围所述第1阱区域；以及场绝缘膜，部分性地覆盖所述第2阱区域，所述栅极电极延伸至所述场绝缘膜的上表面地形成，所述层间绝缘膜部分性地覆盖所述场绝缘膜的所述上表面中的所述栅极电极，所述半导体装置还具备栅极部，该栅极部在俯视时与所述场绝缘膜重叠，与所述源极电极离开，并且覆盖所述层间绝缘膜和从所述层间绝缘膜露出的所述栅极电极，将在俯视时离开所述第1阱区域的方向的端部设为外侧端部，所述栅极电极的所述外侧端部比所述栅极部的所述外侧端部更远离所述第1阱区域并且比所述第2阱区域的所述外侧端部更接近所述第1阱区域。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，延伸至所述场绝缘膜的所述上表面地形成的所述栅极电极的所述外侧端部在包围所述第1阱区域的全周比所述栅极部的所述外侧端部更远离所述第1阱区域，并且比所述第2阱区域的所述外侧端部更接近所述第1阱区域。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其中，在延伸至所述场绝缘膜的所述上表面地形成的所述栅极电极形成开口。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述层间绝缘膜使所述场绝缘膜的所述上表面中的所述栅极电极的所述外侧端部的至少一部分露出并且部分性地覆盖所述栅极电极，所述栅极部覆盖从所述层间绝缘膜露出的所述栅极电极的所述外侧端部的至少一部分。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其中，所述漂移层包含碳化...

【专利技术属性】
技术研发人员：海老原洪平，日野史郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：