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缓和对半导体装置的表面电极的恶劣影响。半导体装置具备：第1阱区域，形成于漂移层的上表面的表层；栅极电极；第2阱区域，在俯视时包围第1阱区域；以及栅极部，覆盖层间绝缘膜和从层间绝缘膜露出的栅极电极。而且，栅极电极的外侧端部比栅极部的外侧端部更...
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