一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，属于半导体材料加工领域，一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，包括有以下步骤：S1、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；S2、碳化硅锭分级，利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；S2、尺寸筛分，对碳化硅锭的尺寸进行筛分，筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭；S3、质量检测；它可以实现，在利用紫外线对碳化硅锭进行细筛之前，通过磁力快速地对碳化硅锭进行粗筛，有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量，从而能够快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法


[0001]本专利技术涉及半导体材料加工领域，更具体地说，涉及一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法。

技术介绍

[0002]碳化硅锭在开炉后可进行人为判断，进行初步筛选，去除明显不合格的产品，可减少后续的加工、质量检测的工作量；
[0003]经专利检索发现，公开号为CN112899788B的中国专利公开了一种碳化硅晶锭的初步筛选方法及装置，该装置通过对碳化硅晶锭打磨切割处理后，提高了可视化程度，且利用紫外照射，筛选获得微管密度或包裹体密度合格的碳化硅晶锭，提高了初筛的准确性，降低了后续加工和检测的工作强度；
[0004]但其需要依次将所有的碳化硅锭放置在显微镜上，利用紫外线对碳化硅锭进行检测，导致对碳化硅锭进行筛选时的工作量较大，筛选碳化硅锭的难度较大，效率较差，为此我们提出一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法。

技术实现思路

[0005]1.要解决的技术问题
[0006]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，它可以实现，在利用紫外线对碳化硅锭进行细筛之前，通过磁力快速地对碳化硅锭进行粗筛，有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量，从而能够快速便捷的完成对的。
[0007]2.技术方案
[0008]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0009]一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，包括有以下步骤：
[0010]S1、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；
[0011]S2、尺寸筛分，对碳化硅锭的尺寸进行筛分，筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭；
[0012]S3、碳化硅锭分级，利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；
[0013]S4、质量检测，利用紫外线观测二级硅锭的透光波长与标准颜色波长阈值，判断二级硅锭的微管密度或包裹体密度是否合格。
[0014]进一步的，所述水筛法包括有以下步骤：
[0015]S101、将成形后掺杂有杂质的碳化硅锭放置进入水中，利用水的浮力使具有浮力的杂质浮于水面，与碳化硅锭分离；
[0016]S102、利用超声波放射设备向水中放射超声波，对碳化硅锭进行超声波清洗；
[0017]S103、对水进行搅拌，利用水搅拌时形成的旋流对粘附在碳化硅锭表面的杂质进行冲洗；
[0018]S104、将分离后的碳化硅锭从水中取出进行静置，直至其干燥。
[0019]进一步的，所述水筛法还包括有以下步骤：
[0020]S105、使用风干装置对分离后的碳化硅锭进行风干处理，直至碳化硅锭表面的水分完全挥发。
[0021]进一步的，所述尺寸筛分包括有以下步骤：
[0022]S201、观测粗筛，利用扫描设备对碳化硅锭的外观尺寸进行批量扫描，筛分出尺寸合格的碳化硅锭；
[0023]S202、设备细筛，通过筛分设备对粗筛后的合格硅锭进行进一步的筛分。
[0024]进一步的，所述碳化硅锭分级包括有以下步骤：
[0025]S301、赋磁，在碳化硅锭上设置有具有磁力的水溶性磁力附加块；
[0026]S302、磁力分级，利用磁力对碳化硅锭进行吸附，完成对碳化硅锭的筛分，将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；
[0027]S303、分级储存，对筛分后的一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭进行分批储存。
[0028]进一步的，所述附加块为粘附在碳化硅锭上的磁石，所述磁石为标签块，所述标签块上可记录碳化硅锭的具体信息。
[0029]进一步的，所述磁力分级又包括有以下步骤：
[0030]S30201、磁力源选取，根据一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭的密度选取一级磁力源、二级磁力源和三级磁力源；
[0031]S30202、磁力分挑，将碳化硅锭依次从一级磁力源、二级磁力源和三级磁力源的下方移动，让一级磁力源、二级磁力源和三级磁力源依次对一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭进行分挑。
[0032]进一步的，所述质量检测包括有以下步骤：
[0033]S401、将二级硅锭放置在显微镜的载物台上，获取二级硅锭的晶面图，确定晶面图上微管和包裹体位置区域；
[0034]S402、启动紫外光源对二级硅锭的微管和包裹体位置区域进行照射，得到二级硅锭的透光波长；
[0035]S403、根据不同的区域对应的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长阀值的大小判断微管密度或包裹体密度是否合格。
[0036]进一步的，所述显微镜设置有用于放置碳化硅锭的载物台，所述载物台的通光孔下方安装有紫外光源，所述载物台上方安装有扫描成像装置，所述扫描成像装置内安装有紫外接收装置。
[0037]进一步的，所述质量检测还包括对二级硅锭电阻率的检测，具体包括：
[0038]用冷光源照射二级硅锭的侧面，检测二级硅锭的透光波长，比较所述透光波长与标准颜色波长范围的大小，根据比较结果判断电阻率是否合格。
[0039]3.有益效果
[0040]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
[0041](1)本方案通过在质量检测之前设置碳化硅锭分级，能够利用磁力快速地对碳化
硅锭进行粗筛，将碳化较差的一级硅锭和三级硅锭挑出，然后再利用质量检测工序的紫外线对二级硅锭进行检测，完成细筛，有效的减少对碳化硅锭进行筛选的工作量，从而能够快速便捷的完成对碳化硅锭的筛选。
附图说明
[0042]图1为本专利技术的筛选流程图。
具体实施方式
[0043]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0044]实施例：
[0045]请参阅图1所示，一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，包括有以下步骤：
[0046]第一步、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；
[0047]水筛法包括有以下步骤：
[0048]1.将成形后掺杂有杂质的碳化硅锭放置进入水中，利用水的浮力使具有浮力的杂质浮于水面，与碳化硅锭分离；
[0049]2.利用超声波放射设备向水中放射超声波，对碳化硅锭进行超声波清洗，通过超声波是水中发生微弱且密集的震动，对碳化硅锭上的杂质进行震动冲洗，提升冲洗效果；
[0050]3.对水进行搅拌，利用水搅拌时形成的旋流对粘附在碳化硅锭表面的杂质进行冲洗；
[0051]4.将分离后的碳化硅锭从水中取出进行静置，直至其干燥。
[0052]在此，为了能够使从碳化硅锭上分离的杂质再次与碳化硅锭混合在一起，形成二次污染，水中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，其特征在于：包括有以下步骤：S1、杂质筛分，通过水筛法对碳化硅锭和其余杂质进行筛分，筛选出干净的碳化硅锭；S2、尺寸筛分，对碳化硅锭的尺寸进行筛分，筛分出尺寸相同的合格硅锭和与合格硅锭相差较大的不合格硅锭；S3、碳化硅锭分级，利用磁力和不同等级碳化硅锭之间的密度差将碳化硅锭筛分为一级硅锭、二级硅锭和三级硅锭；S4、质量检测，利用紫外线观测二级硅锭的透光波长与标准颜色波长阈值，判断二级硅锭的微管密度或包裹体密度是否合格。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，其特征在于：所述水筛法包括有以下步骤：S101、将成形后掺杂有杂质的碳化硅锭放置进入水中，利用水的浮力使具有浮力的杂质浮于水面，与碳化硅锭分离；S102、利用超声波放射设备向水中放射超声波，对碳化硅锭进行超声波清洗；S103、对水进行搅拌，利用水搅拌时形成的旋流对粘附在碳化硅锭表面的杂质进行冲洗；S104、将分离后的碳化硅锭从水中取出进行静置，直至其干燥。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，其特征在于：所述水筛法还包括有以下步骤：S105、使用风干装置对分离后的碳化硅锭进行风干处理，直至碳化硅锭表面的水分完全挥发。4.根据权利要求1所述的一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，其特征在于：所述尺寸筛分包括有以下步骤：S201、观测粗筛，利用扫描设备对碳化硅锭的外观尺寸进行批量扫描，筛分出尺寸合格的碳化硅锭；S202、设备细筛，通过筛分设备对粗筛后的合格硅锭进行进一步的筛分。5.根据权利要求1所述的一种碳化硅磨抛成锭后便捷多级筛选方法，其特征在于：所述碳化硅锭分级包括有以下步骤：S301、赋磁，在碳化硅锭上设置有具有磁力的水溶性磁力附加块；S302、磁力分级，利用磁力对碳化硅锭进行吸附，完成对碳化硅锭的筛分...

【专利技术属性】
技术研发人员：管家辉，杨振华，杨阳，
申请(专利权)人：无锡上机数控股份有限公司，
类型：发明
国别省市：