【技术实现步骤摘要】
线切割设备和线切割方法
[0001]本专利技术实施例涉及晶圆加工
，尤其涉及线切割设备和线切割方法。
技术介绍
[0002]硅片作为半导体电路制程载体，其品质对集成电路形成具有决定性的影响。目前，在硅片的初步成型过程中的主要工序包括：硅棒切割，物理、化学研磨，化学刻蚀，物理化学抛光等。硅棒切割是硅片成型工艺中的核心工艺之一，其主要包括多线砂浆(SiC)切割和内圆切割。目前采用的主流工艺为多线切割，因为相对于内圆切割，多线切割具有效率高、质量好、出片率高等优势。
[0003]多线切割是目前先进的切片加工技术，其原理是将切割线依次缠绕在彼此间隔开地形成于线轴的周向表面上的导引槽内以使切割线形成切割线段阵列，在导引槽的导引作用下，利用切割线的高速往复运动把磨料带入待切割材料(比如硅棒)的加工区域进行研磨，而待切割工件通过工作台的升降实现垂直方向的进给，以此将工件同时切割成若干个所需尺寸形状的薄片(比如晶圆)。通常多线切割过程中所采用的磨料优选为砂浆。
[0004]目前，在切割过程中，由于切割线沿其延伸方向以高...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种线切割设备，其特征在于，所述线切割设备包括：承载模块，所述承载模块用于承载硅棒在进给方向上进行运动；切割模块，所述切割模块包括切割线和切割线驱动单元，所述切割线驱动单元设置成驱动所述切割线运动以对所述硅棒进行切割；第一砂浆供给模块，所述第一砂浆供给模块设置成能够始终向所述切割线切割所述硅棒的切割位置喷射砂浆。2.根据权利要求1所述的线切割设备，其特征在于，所述第一砂浆供给模块设置在所述硅棒和所述切割线的下方并且包括朝向上方喷射砂浆的喷嘴。3.根据权利要求2所述的线切割设备，其特征在于，所述喷嘴设置成使得喷射出的砂浆始终能够覆盖所述切割位置。4.根据权利要求3所述的线切割设备，其特征在于，所述线切割设备还包括控制器，所述控制器用于根据所述切割位置的变化控制所述喷嘴的压力和喷射范围变化。5.根据权利要求2至4中的任一项所述的线切割设备，其特征在于，所述线切割设备还包括线轴，所述线轴的周向表面上形成有沿着所述线轴的周...
【专利技术属性】
技术研发人员：张舸，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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