一种热处理设备的晶圆承载装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种热处理设备的晶圆承载装置，包括：至少一个载盘可移动地设置在热处理设备内部，载盘的上侧设置有片槽，载盘上设置有多个通孔；顶起结构设置在载盘的下方，顶起结构能够在伸缩驱动部件的驱动下升降；顶盘活动设置在顶起结构与载盘之间；多个导向柱的下端与顶盘连接，每个导向柱的上端活动贯穿一个通孔，导向柱的上端的端面上设置有定位件，定位件为上端直径小于下端直径的锥形台状，定位件的下端直径小于导向柱的直径，定位件与导向柱同轴，定位件的下端的外周与片槽的槽壁相切。解决了片槽的内径和晶圆外径差距过大，使得晶圆在片槽中进行热处理时晶圆边缘效应加大而导致晶圆良品率下降的问题，提高了晶圆热处理后的良品率。处理后的良品率。处理后的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种热处理设备的晶圆承载装置


[0001]本专利技术属于半导体制造设备
，更具体地，涉及一种热处理设备的晶圆承载装置。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造领域中，集成电路通常是制作在晶圆(wafer)上，而一个完整的芯片的制作需要经过多个步骤。在进行各工艺步骤中，需要将晶圆放置到对应的半导体设备的工艺腔中，晶圆的放置都是自动化进行的，在进行晶圆的自动取放过程中需要采用的晶圆升降装置，通过晶圆升降装置来实现工艺腔内晶圆的上升和下降。
[0003]多晶圆承载盘能实现多个晶圆取放，但多晶圆载盘由于加工、装配和结构等原因，当晶圆片槽只是稍大于晶圆外径时，很难确保多个晶圆都能准确地放入片槽。为确保多个晶圆通过robot可以正常放入片槽中，传统方式会采用扩大晶圆片槽的方案，但是晶圆片槽扩大会导致晶圆在热处理时边缘效应加大，这对晶圆热处理时非常不好的。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的针对现有技术中的不足，提供一种热处理设备的晶圆承载装置，通过顶盘活动设置在顶起结构与载盘之间，载盘上设置有放置晶圆的片槽，导向柱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热处理设备的晶圆承载装置，其特征在于，包括：至少一个载盘，所述载盘可移动地设置在所述热处理设备内部，所述载盘的上侧设置有片槽，所述载盘上沿所述片槽的周向设置有多个通孔；顶起结构，所述顶起结构设置在所述载盘的下方，所述顶起结构能够在伸缩驱动部件的驱动下升降；顶盘，所述顶盘活动设置在所述顶起结构与所述载盘之间；导向柱，所述导向柱设置为多个，所述导向柱的下端与所述顶盘连接，每个所述导向柱的上端活动贯穿一个所述通孔，所述导向柱的上端的端面上设置有定位件，所述定位件为上端直径小于下端直径的锥形台状，所述定位件的下端直径小于所述导向柱的直径，所述定位件与所述导向柱同轴，所述定位件的下端的外周与所述片槽的槽壁相切。2.根据权利要求1所述的热处理设备的晶圆承载装置，其特征在于，所述定位件呈圆台状、四棱台状、四棱锥状或圆锥状。3.根据权利要求1所述的热处理设备的晶圆承载装置，其特征在于，还包括定位组件，定位组件包括：位移部，所述位移部与所述载盘连接，所述位移部用于水平方向调整所述载盘位移；定位检测模块，所述定位检测模块与所述位移部电性连接，所述定位检测模块设置于所述载盘和所述顶盘上，用于当所述导向柱准备贯穿所述载盘承接晶圆时，实时检测所述导向柱和所述通孔的相对位置，使所述通孔与所述导向柱自动对准。4.根据权利要求3所述的热处理设备的晶圆承载装置，其特征在于，所述定位检测模块包括：多个红外发射器，所述红外发射器设置在所述顶盘上；与所述红...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兰，杨锋，吴承岩，马白玲，
申请(专利权)人：量伙半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：