一些实施例包含一种具有通道材料结构且具有沿着所述通道材料结构的存储器单元的组合件。所述存储器单元包含电荷存储材料。线性导电结构与所述通道材料结构垂直偏移，并与所述通道材料结构电耦合。中介区位于所述线性导电结构之间。导电屏蔽结构位于所述中介区内。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。所述导电屏蔽结构与参考电压源电耦合。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在线性导电结构之间具有导电屏蔽结构的集成组合件
[0001]相关专利数据
[0002]本申请案主张2020年7月9日申请的第16/924,506号美国专利申请案的优先权及权利，所述专利申请案的公开内容以引用的方式并入本文中。
[0003]本专利技术涉及集成组合件(例如，集成存储器)。本专利技术涉及在线性导电结构(例如位线)之间具有导电屏蔽结构的集成组合件。
技术介绍
[0004]存储器为电子系统提供数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来取代常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议被标准化时支持新通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。
[0005]NAND可为快闪存储器的基本架构，且可经配置以包括垂直堆叠的存储器单元。
[0006]在具体地描述NAND之前，更大体地描述集成布置内的存储器阵列的关系可能是有帮助的。图1展示现有技术装置1000的框图，其包含存储器阵列1002，存储器阵列1002具有布置成行及列的多个存储器单元1003以及存取线1004(例如，用以传导信号WL0到WLm的字线)及第一数据线1006(例如，用以传导信号BL0到BLn的位线)。存取线1004及第一数据线1006可用于将信息传送到存储器单元1003及从存储器单元1003传送信息。行解码器1007及列解码器1008对地址线1009上的地址信号A0到AX进行解码以确定将存取哪些存储器单元1003。感测放大器电路1015进行操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从存储器单元1003读取或待写入到存储器单元1003中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020与装置1000进行通信。存储器控制单元1018用于控制待对存储器单元1003执行的存储器操作，且利用控制线1020上的信号。装置1000可分别接收第一电源线1030及第二电源线1032上的电源电压信号Vcc及Vss。装置1000包含选择电路1040及输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017响应于信号CSEL1到CSELn以选择第一数据线1006及第二数据线1013上可表示待从存储器单元1003读取或待编程到存储器单元1003中的信息的值的信号。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号来选择性地激活CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可选择第一数据线1006及第二数据线1013上的信号以在读取及编程操作期间提供存储器阵列1002与I/O电路1017之间的通信。
[0007]图1的存储器阵列1002可为NAND存储器阵列，且图2展示可用于图1的存储器阵列1002的三维NAND存储器装置200的框图。装置200包括多个电荷存储装置串。在第一方向(Z
‑
Z
’
)上，每一电荷存储装置串可包括例如彼此堆叠的三十二个电荷存储装置，其中每一电荷存储装置对应于例如三十个层面(例如，层面0到层面31)中的一者。相应串的电荷存储装置可共享共同通道区，例如形成在半导体材料(例如，多晶硅)的相应柱中的通道区，电荷存储装置串围绕所述柱而形成。在第二方向(X
‑
X
’
)上，例如多个串的十六个第一群组中的每一第一群组可包括例如共享多个(例如，三十二个)存取线(即“全局控制栅极(CG)线”，也被称为字线WL)的八个串。所述存取线中的每一者可耦合层面内的电荷存储装置。当每一电荷存储装置包括能够存储两个信息位的单元时，由同一存取线耦合(且因此对应于同一层面)的电荷存储装置可在逻辑上被分组成例如两个页面，例如P0/P32、P1/P33、P2/P34等。在第三方向(Y
‑
Y
’
)上，例如多个串的八个第二群组中的每一第二群组可包括通过八个数据线中的对应者耦合的十六个串。存储器块的大小可包括1,024个页面及总共约16MB(例如，16个WL x 32个层面x 2个位＝1,024个页面/块，块大小＝1,024个页面x 16KB/页面＝16MB)。串、层面、存取线、数据线、第一群组、第二群组及/或页面的数目可多于或少于图2中展示的数目。
[0008]图3展示图2的3D NAND存储器装置200的存储器块300在X
‑
X
’
方向上的横截面视图，包含在关于图2所描述的串的十六个第一群组中的一者中的十五个电荷存储装置串。存储器块300的多个串可被分组成多个子集310、320、330(例如，片块列)，例如片块列
I
、片块列
j
及片块列
K
，其中每一子集(例如，片块列)包括存储器块300的“部分块”。全局漏极侧选择栅极(SGD)线340可耦合到多个串的SGD。例如，全局SGD线340可经由多个(例如，三个)子SGD驱动器332、334、336中的对应者耦合到多个(例如，三个)子SGD线342、344、346，其中每一子SGD线对应于相应子集(例如，片块列)。子SGD驱动器332、334、336中的每一者可独立于其它部分块的串的SGD同时耦合或切断对应部分块(例如，片块列)的串的SGD。全局源极侧选择栅极(SGS)线360可耦合到多个串的SGS。例如，全局SGS线360可经由多个子SGS驱动器322、324、326中的对应者耦合到多个子SGS线362、364、366，其中每一子SGS线对应于相应子集(例如，片块列)。子SGS驱动器322、324、326中的每一者可独立于其它部分块的串的SGS同时耦合或切断对应部分块(例如，片块列)的串的SGS。全局存取线(例如，全局CG线)350可耦合对应于多个串中的每一者的相应层面的电荷存储装置。每一全局CG线(例如，全局CG线350)可经由多个子串驱动器312、314及316中的对应者耦合到多个子存取线(例如，子CG线)352、354、356。所述子串驱动器中的每一者可独立于其它部分块及/或其它层面的电荷存储装置同时耦合或切断对应于相应部分块及/或层面的电荷存储装置。对应于相应子集(例如，部分块)及相应层面的电荷存储装置可包括电荷存储装置的“部分层面”(例如，单个“片块”)。对应于相应子集(例如，部分块)的串可耦合到子源372、374及376(例如，“片块源”)中的对应者，其中每一子源耦合到相应电源。
[0009]替代地，参考图4的示意说明来描述NAND存储器装置200。
[0010]存储器阵列200包含字线2021到202
N
及位线2281到228
M
。
[0011]存储器阵列200还本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种组合件，其包括：通道材料结构；存储器单元，其沿着所述通道材料结构；所述存储器单元包含电荷存储材料；线性导电结构，其与所述通道材料结构垂直偏移并与所述通道材料结构电耦合；中介区在所述线性导电结构之间；以及导电屏蔽结构，其在所述中介区内，并与参考电压源电耦合。2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述线性导电结构是位线。3.根据权利要求1所述的组合件，其中所述导电屏蔽结构包含金属。4.根据权利要求1所述的组合件，其中所述导电屏蔽结构包含掺杂半导体材料。5.根据权利要求1所述的组合件，其中所述导电屏蔽结构包含金属硅化物、金属碳化物、金属氮化物及金属硼化物中的一或多者。6.根据权利要求1所述的组合件，其包括所述导电屏蔽结构与所述线性导电结构之间的介电区。7.根据权利要求6所述的组合件，其中所述介电区包括二氧化硅。8.根据权利要求6所述的组合件，其中所述介电区包括充气空隙。9.根据权利要求8所述的组合件，其中所述充气空隙延伸到所述导电屏蔽结构下方。10.根据权利要求6所述的组合件，其中所述介电区包括低k材料。11.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含多孔氧化硅。12.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含掺杂氧化硅。13.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含碳掺杂的氧化硅。14.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含硼掺杂的氧化硅。15.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含多孔氮化硅。16.根据权利要求10所述的组合件，其中所述低k材料包含两种或更多种不同组合物的叠层。17.根据权利要求1所述的组合件，其中所述电荷存储材料是电荷捕获材料。18.根据权利要求17所述的组合件，其中所述电荷捕获材料包括氮化硅。19.一种组合件，其包括：通道材料柱；存储器单元，其沿着所述通道材料柱；所述存储器单元包含电荷存储材料、电荷阻挡材料及隧穿材料；线性导电结构，其与所述通道材料柱垂直偏移并通过导电互连件与所述通道材料柱电耦合；所述线性导电结构通过中介区彼此间隔开；以及导电屏蔽结构，其位于所述中介区内，且通过绝缘区与所述线性导电结构间隔开。20.根据权利要求19所述的组合件，其中所述中介区中的每一者沿横截面具有第一厚度；其中所述导电屏蔽结构中的每一者沿着所述横截面具有第二厚度；且其中所述第二厚度在所述第一厚度的约10％到约60％的范围内。21.根据权利要求20所述的组合件，其中所述范围为所述第一厚度的约20％到约40％。22.根据权利要求19所述的组合件...
【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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