【技术实现步骤摘要】
一种半导体废水深度除氟处理装置
[0001]本技术涉及废水除氟装置
,具体为一种半导体废水深度除氟处理装置。
技术介绍
[0002]半导体废水为酸性含氟废水,主要处理指标为pH、氟化物、COD等,废水的pH为3左右,氟化物高达800mg/L甚至更高;这类废水必须用可靠的工艺方能使出水氟化物达到排放标准,否则将会超标排放,造成环境污染。
[0003]例如申请号为:202122874926.1(名为一种半导体行业废水的深度除氟处理系统),包括箱体、第一电机与搅拌轴,所述箱体的顶部固定安装有第一电机,且第一电机的底部贯穿箱体安装有转轴,所述第一电机两侧的箱体顶部固定安装有第二电机,且第二电机的底部贯穿箱体安装有丝杆,所述转轴外围的丝杆之间通过固定架安装有搅拌轴,所述搅拌轴内部两侧表面固定安装有限位块,且限位块外围的转轴两侧表面设置有限位槽,所述箱体一侧的表面固定安装有除氟剂入口,所述除氟剂入口底部的箱体一侧表面固定安装有絮凝剂入口,且除氟剂入口与絮凝剂入口的外围皆固定安装有流量计,所述搅拌轴底部的箱体一侧表面固定安装 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体废水深度除氟处理装置,包括包裹外框(1),包裹外框(1)的顶部设置有顶座板(8),顶座板(8)与包裹外框(1)一体成型设置,顶座板(8)的上端设置有驱动电机(9),包裹外框(1)的内部摆放有处理桶(3);其特征在于:还包括:废水排放池(4),其设置在所述包裹外框(1)的一侧外壁上,废水排放池(4)与包裹外框(1)一体成型设置,且废水排放池(4)的前端面上设置有抽水泵(5),抽水泵(5)的进水端和出水端分别设置有抽水软管(7)和注水管(6),注水管(6)与废水排放池(4)的内部连通设置;传动连杆(10),其安装在所述驱动电机(9)的输出端上,且传动连杆(10)的内部设置有内圆腔(18),内圆腔(18)与传动连杆(10)一体成型设置,内圆腔(18)的内部设置有限位盘(16)和升降连杆(11),升降连杆(11)的尾部外壁上设置有搅动叶(20),搅动叶(20)与升降连杆(11)一体成型设置;定位螺孔(17),其设置在所述限位盘(16)的内部,定位螺孔(17)与限位盘(16)一体成型设置,且内圆腔(18)的外壁上设置有两个穿接螺孔(15),穿接螺孔(15)和定位螺孔(17)的内部安装有止位螺杆(12);分隔圆框(24),其安装在所述处理桶(3)的内部,且分隔圆框(24)的内部设置有微孔透水网(25),分隔圆框(24)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张进,刘建军,
申请(专利权)人:苏州大图环境工程设备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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