【技术实现步骤摘要】
单晶炉外置气体配气装置
[0001]本技术涉及单晶硅制造设备领域，尤其涉及一种能够解决单晶炉运行中氧化问题的外置气体配气装置。
技术介绍
[0002]单晶炉是一种在惰性气体环境中，用加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
[0003]单晶炉包括炉盖和副室隔离腔，在炉盖和副室隔离腔之间设置有喉口法兰，喉口法兰上设置有氩气通道，用于通入氩气，在相关技术中，氩气通道的结构有两种，一种是环形气道+下吹气结构，下吹气孔环形均布与环形气道连通向下吹气；另一种是单孔横吹气道结构，通过直通圆孔进气横吹氩气。上述两种结构的氩气通道进气时，易形成紊流漩涡导致氩气填充不均匀，造成炉内局部无氩气或气量不足异常现象，从而影响单晶品质。
技术实现思路
[0004]为了解决上述技术问题，本技术实施例提供一种单晶炉外置气体配气装置，包括：
[0005]喉口法兰，被构造成连接单晶炉的炉盖和副室隔离腔；
[0006]两个进气通道，分别开设在所述喉口法兰上，两个所述进气通道的出气口开设于所述喉口法兰的内侧
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶炉外置气体配气装置，其特征在于，包括：喉口法兰，被构造成连接单晶炉的炉盖和副室隔离腔；两个进气通道，分别开设在所述喉口法兰上，两个所述进气通道的出气口开设于所述喉口法兰的内侧壁上且相对设置；进气管道，与所述进气通道的进气口连通以向所述喉口法兰通入保护气体；其中，两个所述进气通道被构造成分别通入保护气至所述喉口法兰中部发生碰撞以向两边发散沿所述炉盖侧壁向下移动，从而填充所述单晶炉的腔室。2.根据权利要求1所述的单晶炉外置气体配气装置，其特征在于，两个所述出气口以所述喉口法兰的圆心对称设置在所述喉口法兰的内侧壁上。3.根据权利要求1所述的单晶炉外置气体配气装置，其特征在于，所述进气管道包括：主管道，一端连通保护气源；两个支路管道，两个所述支路管道的一端分别连接两个所述进气口；三通接头，分别连通所述主管道的另一端以及两个所述支路管道的另...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩存根，张树峰，李文超，王凯，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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