拉晶炉的冷却装置及拉晶炉制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶体生产制造装置技术领域，提供一种拉晶炉的冷却装置及拉晶炉，包括用于供冷却介质流通的螺旋管道，螺旋管道的截面形状具有至少一个直线边，至少一个直线边所在的螺旋管道表面为第一吸热面，其余螺旋管道的表面为第二吸热面，第一吸热面平行于螺旋管道的中轴线，使用本装置时，可以在拉晶炉的炉壁内部以及腔室内部分别设置螺旋管道，由各自螺旋管道的第一吸热面分别螺旋环绕于腔室周围以及腔室内生长的晶体周围，相较于现有技术，第一吸热面各局部位置从整体上更靠近发热体，冷却效果更优，另外第二吸热面还能够在侧向进行换热冷却，整体提高了冷却效率，进而提高了单晶硅晶体的生产效率。硅晶体的生产效率。硅晶体的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
拉晶炉的冷却装置及拉晶炉


[0001]本专利技术涉及晶体生产制造装置
，尤其涉及一种拉晶炉的冷却装置及拉晶炉。

技术介绍

[0002]太阳能收集器件的制备经常使用到单晶硅晶体，单晶硅晶体是硅原子定向排列形成的物质。单晶硅晶体的制作通常需要使用到拉晶炉，在制作单晶硅晶体过程中，在拉晶炉的内部利用电加热的方式熔融多晶硅，并从中进行晶体的拉制。在拉晶的过程中，由于炉内温度较高且基于晶体的生长需求，需对拉晶炉内部腔室和腔室内生长的晶体进行冷却，对拉晶炉内部腔室进行冷却能够实现对拉晶炉腔室整体降温的需要，对高温晶体进行冷却能够提高晶体内部的温度梯度，从而加快单晶硅棒的等径拉速，进而提高硅单晶的成晶率。
[0003]目前一般采用水冷环或水冷管等冷却装置以辐射的方式分别对晶体和腔室这类发热体进行冷却换热，然而现有的水冷环或水冷管的截面形状一般为圆形或圆弧边封闭形状，使得其外表面局部位置与发热体的距离较远，进而导致冷却效果较差，整体影响了冷却效率，进而导致单晶硅晶体生产效率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种拉晶炉的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶炉的冷却装置，其特征在于，包括用于供冷却介质流通的螺旋管道，所述螺旋管道的截面形状具有至少一个直线边，至少一个所述直线边所在的所述螺旋管道的表面为第一吸热面(1)，其余所述螺旋管道的表面为第二吸热面(2)，所述第一吸热面(1)平行于所述螺旋管道的中轴线。2.根据权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置，其特征在于，所述螺旋管道的截面形状为三角形，所述三角形的其中一个直线边所在的所述螺旋管道的表面为所述第一吸热面(1)，其余所述三角形的直线边所在的所述螺旋管道的表面为所述第二吸热面(2)。3.根据权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置，其特征在于，所述螺旋管道的截面形状为半圆形，所述半圆形的直线边所在的所述螺旋管道的表面为所述第一吸热面(1)，所述半圆形的弧形边所在的所述螺旋管道的表面为所述第二吸热面(2)。4.根据权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置，其特征在于，所述螺旋管道的截面形状为矩形，所述矩形的其中一个直线边所在的所述螺旋管道的表面为所述第一吸热面(1)，其余所述矩形的直线边所在的所述螺旋管道的表面为所述第二吸热面(2)。5.根据权利要求1
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4任一项所述的拉晶炉的冷却装置，其特征在于，所述第一吸热面(1)和/或所述第二吸热面(...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：