衬底和半导体器件制造技术

本公开的实施例涉及衬底和半导体器件。预模制衬底包括其中具有空间的雕刻式导电层状结构。层状结构包括具有配置成安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面的管芯焊盘。模制到层状结构上的预模制材料层渗透到空间中并提供层状预模制衬底，其中第一管芯焊盘表面保持暴露。管芯焊盘的外围边缘包括到预模制材料层的第一和第二锚定形成件的交替。第一锚定形成件抵抗引起管芯焊盘相对于预模制材料层在从第二管芯焊盘表面到第一管芯焊盘表面的第一方向上移位的第一脱离力。第二锚定形成件抵抗引起管芯焊盘相对于预模制材料层在从第一管芯焊盘表面到第二管芯焊盘表面的第二方向上的移位的第二脱离力。利用本公开的实施例有利地能够抵抗施加到衬底上的相反力。够抵抗施加到衬底上的相反力。够抵抗施加到衬底上的相反力。

【技术实现步骤摘要】
衬底和半导体器件


[0001]本说明书涉及半导体器件。
[0002]一个或多个实施例可应用于例如汽车领域的半导体功率器件。

技术介绍

[0003]在例如预模制引线框架的衬底中，引线框架的雕刻式导电结构(例如，铜)与模制于其上的预模制树脂(例如，环氧树脂)之间的足够粘着力应当被期望地吸收预模制引线框架被按压或弯曲时所产生的应力。
[0004]特别地，预模制引线框架中的焊盘应该理想地抵抗压力(例如在带超声楔形接合期间产生的压力)以及拉力(例如在用于第二接合的带拉动期间产生的拉力，或者作为操作下的热机械应力的结果)。
[0005]应注意的是，虽然对于其它目的是有利的，但槽状锚定形成件提供有限的拉动阻力，同时占用不可忽略的焊盘区域。
[0006]在本领域中需要处理上述问题。

技术实现思路

[0007]本公开的目的是提供一种衬底和半导体器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。
[0008]本公开的一方面提供了一种衬底，包括：雕刻式导电层状结构，在所述雕刻式导电层状结构中具有空间，所述雕刻式导电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底，其特征在于，包括：雕刻式导电层状结构，在所述雕刻式导电层状结构中具有空间，所述雕刻式导电层状结构包括至少一个管芯焊盘，所述至少一个管芯焊盘具有被配置为在其上安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面以及与所述第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面；以及预模制材料层，被模制到所述雕刻式导电层状结构上，其中所述预模制材料层穿透到所述空间中并且提供层状预模制衬底，所述层状预模制衬底包括由所述预模制材料层留下暴露的所述第一管芯焊盘表面，其中所述至少一个管芯焊盘的外围与模制到所述雕刻式导电层状结构上的所述预模制材料层邻接；其中沿着所述至少一个管芯焊盘的外围边缘提供以下交替：所述至少一个管芯焊盘到所述预模制材料层的第一锚定形成件，所述第一锚定形成件被配置为抵抗引起所述至少一个管芯焊盘相对于所述预模制材料层在从所述第二管芯焊盘表面到所述第一管芯焊盘表面的第一方向上的位移的第一脱离力；以及所述至少一个管芯焊盘到所述预模制材料层的第二锚定形成件，所述第二锚定形成件被配置为抵抗引起所述至少一个管芯焊盘相对于所述预模制材料层在从所述第一管芯焊盘表面到所述第二管芯焊盘表面的第二方向上的位移的第二脱离力。2.根据权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述第一锚定形成件被提供在所述第一管芯焊盘表面处，并且其中所述第二锚定形成件被提供在所述第二管芯焊盘表面处。3.根据权利要求1所述的衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：