一种高边NMOS浮地驱动电路制造技术

本发明专利技术公开一种高边NMOS浮地驱动电路，属于电子电路领域。浮地产生电路、高压浮地时钟产生电路和自适应三级电荷泵产生VIN+12V的电源VDD_chg，VDD_gate产生电路和GATE驱动电源产生电路产生自适应驱动电压GATE，GATE电压跟随输出OUT变化，避免在启动过程中栅源电压Vgs突变而产生很大的瞬态电流。本发明专利技术采用自举电荷泵原理，在不采用外部BOOST电容下，可轻松驱动高端NMOS功率管；功率管NMOS的栅极电压自适应跟随源端电压，从而避免了启动/工作过程中由于栅极/源极电压不同步造成的输出电流跳变。变。变。

【技术实现步骤摘要】
一种高边NMOS浮地驱动电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，特别涉及一种高边NMOS浮地驱动电路。

技术介绍

[0002]目前电子保险丝应用电路如图1所示，应用于电源前端通路，当检测到输入过流或过压异常情况，会通过自发减小高端NMOS管栅源电压，增大导通阻抗，触发过温保护从而关断高端NMOS管，以保护连接设备不受损坏。
[0003]正常工作时，NMOS管常通，为了降低导通损耗，要求NMOS管导通阻抗足够小。高端NMOS管导通时要达到足够小的导通阻抗，要求栅源电压Vgs电压足够大（大于通常的NMOS的阈值电压Vth，通常2.5V）以及Vds（外置NMOS的漏源电压）以使NMOS管工作在线性区（满足Vgs>Vth，Vds<Vgs
‑
Vth）。为了使NMOS管GATE电压大于电源VIN，需要设计内部charge
‑
pump（电荷泵）电路，同时由于out端是动态的，所以亟需chargeup（充电）是自适应chargepump电路。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高边NMOS浮地驱动电路，其特征在于，包括依次相连的浮地产生电路、高压浮地时钟产生电路、自适应三级电荷泵、VDD_gate产生电路以及GATE驱动电源产生电路；其中所述浮地产生电路、所述高压浮地时钟产生电路和所述自适应三级电荷泵产生VIN+12V的电源VDD_chg，所述VDD_gate产生电路和所述GATE驱动电源产生电路产生自适应驱动电压GATE，GATE电压跟随输出OUT变化，避免在启动过程中栅源电压Vgs突变而产生很大的瞬态电流。2.如权利要求1所述的高边NMOS浮地驱动电路，其特征在于，所述浮地产生电路包括电阻（R31）、电阻（R32）、PMOS管（P30）、PMOS管（P31）、PMOS管（P32）、PMOS管（P33）和电流源（I31）、电流源（I32）、电流源（I33）、电流源（I34）；电阻（R31）的第一端、电流源（I32）的输入端、电阻（R32）的第一端、电流源（I34）的输入端均连接电源VIN；电阻（R31）的第二端和电流源（I31）的输入端相连，电流源（I31）的输出端接地；PMOS管（P31）的栅端连接在电阻（R31）的第二端和电流源（I31）的输入端之间，源端连接电流源（I32）的输出端，漏端接地；PMOS管（P32）的源端连接电流源（I32）的输出端，栅端与自身漏端共同连接PMOS管（P33）的源端；电阻（R32）的第二端连接电流源（I33）的输入端，电流源（I33）的输出端接地；PMOS管（P33）的栅端和自身漏端、PMOS管（P30）的栅端共同连接在电阻（R32）的第二端和电流源（I33）的输入端之间，PMOS管（P30）的源端连接电流源（I34）的输出端，漏端接地。3.如权利要求2所述的高边NMOS浮地驱动电路，其特征在于，所述电流源（I32）>电流源（I33），所述PMOS管（MP31）、PMOS管（MP32）、PMOS管（MP33）、PMOS管（MP30）均为同类型的高压PMOS管。4.如权利要求1所述的高边NMOS浮地驱动电路，其特征在于，所述高压浮地时钟产生电路包括电流源（I41）、电流源（I42）、PMOS管（P41）、NMOS管（N41）、施密特非门电路（NOT41）、非门（NOT42）、非门（NOT43）、缓冲器（INV41）、缓冲器（INV42）和电容（C41）；电流源（I41）的输入端连接电源VIN，输出端连接PMOS管（P41）的源端；PMOS管（P41）的漏端和NMOS管（N41）的漏端共同连接施密特非门电路（NOT41）的输入端，PMOS管（P41）的栅端和NMOS管（N41）的栅端共同连接非门（...

【专利技术属性】
技术研发人员：张妹雄，王萌，张明杰，欧家茂，
申请(专利权)人：无锡明芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：