【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于低电感功率模块的驱动电路以及具有增加的短路强度的低电感功率模块
[0001]本专利技术涉及一种用于低电感功率模块的驱动电路,该驱动电路包括连接端和输出端,其中,该连接端可以与功率晶体管的源极触点连接,该输出端可以与功率晶体管的栅极触点连接。该驱动电路设计用于在第一运行模式下,产生用于功率晶体管的栅极触点的第一栅极源极电压,并在驱动电路的输出端上提供所述第一栅极源极电压。
技术介绍
[0002]低电感功率模块,尤其是使用具有大带隙的半导体的功率模块,例如碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),例如与其他开关装置相比,在开关损耗方面提供明显的优点,这此外还有助于电动汽车的更大的续航里程。为了实现具有大的可切换电压(du/dt>10V/ns)和大的可切换电流(di/dt>1A/ns)的卓越的开关性能,对于所述功率模块而言需要具有小电感(L<15nH)的模块。
[0003]为了实现上述卓越的开关性能,通常在薄的芯片上提供这里所说的功率模块,与其他的、提供在较厚的芯片上的功率模 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种驱动电路(200),所述驱动电路用于低电感功率模块(400),所述驱动电路包括:连接端(10)和输出端(20),其中,所述连接端(10)能够与功率晶体管(12)的源极触点(15)连接,且所述输出端(20)能够与所述功率晶体管(12)的栅极触点(11)连接,以及其中,所述驱动电路(200)设计用于,在第一运行模式下,对于所述功率晶体管(12)的栅极触点(11)产生第一栅极源极电压(U
GS1
),并在所述驱动电路(200)的输出端(20)上提供所述第一栅极源极电压;其特征在于,所述驱动电路(200)还设计用于,在第二运行模式下,在至少一个预设的最小时间段期间对于所述功率晶体管(12)的栅极触点(11)产生更低的第二栅极源极电压(U
GS2
),并在所述驱动电路(200)的输出端(20)上提供所述第二栅极源极电压。2.根据权利要求1所述的驱动电路(200),其中,所述预设的最小时间段对应于如下时间段:与所述功率晶体管(12)连接的短路识别电路需要所述时间段,用以在接通所述功率晶体管(12)时识别短路并采取和/或进行所述功率晶体管(12)的关断。3.根据前述权利要求中任一项所述的驱动电路(200),其中,所述驱动电路(200)包括两个不同的电压源(SQ1,SQ2),借助所述两个不同的电压源能够产生第一栅极源极电压和第二栅极源极电压(U
GS1
;U
GS1
)并且能够在所述驱动电路(200)的输出端上提供所述第一栅极源极电压和所述第二栅极源极电压。4.根据权利要求3所述的驱动电路(200),其中,所述两个不同的电压源(SQ1;SQ2)分别具有一个输入端和一个电压输出端,所述输入端与所述驱动电路(200)的连接端(10)连接,其中,所述第一电压源(SQ1)的电压输出端通过由第一二极管(21)和第一电阻(31)组成的串联电路与所述驱动电路(200)的输出端(20)连接,而所述第二电压源(SQ2)的电压输出端通过两个路径(P...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。