一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器制造技术

本发明专利技术公开了一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器，包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路，所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路，所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接，所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接。本发明专利技术通过所述功率限制电路的功率限制和所述反馈电流输入电路的功率调节的双重设置，可有效避免负载回路上的电流过大，而导致的负载或线路的损坏，其适用于各类感性负载的控制中。感性负载的控制中。感性负载的控制中。

【技术实现步骤摘要】
一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器


[0001]本专利技术涉及移相触发器领域，尤其涉及一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器。

技术介绍

[0002]移相触发是可控硅的一种控制方式，其是通过控制可控硅的导通角大小来控制可控硅的导能量，从而改变负载上所加的功率；具体地，移相触发控制器接入模拟信号如0
‑
20mA、4
‑
20mA、0
‑
5V、1
‑
5V信号，根据输入的模拟信号大小，输出PWM波形信号给交流回路上的可控硅，控制可控硅的导通角，改变加载到负载上的功率。现有移相触发控制器，应用于变阻性负载如加热棒、电机等的回路控制中时，回路上电压曲线波动小，输出的电压、电流相对平滑，其适用性相对较高。但在感性负载如硅钼棒、石墨、硅碳棒等回路控制中，由于感性负载的阻值随温度或会变化或会应老化而变大，阻值越大，回路中的电流也越大，为避免随着负载电阻的增大，回路电流过大，而烧坏负载，常需控制负载回路的电流；现有少数移相触发控制器中，虽然也有设计反馈回路电流的采集，如反馈的回路电流太大，则进行报警等提示或直接中断输出控制，但不论是报警后的再处理，还是中断输出控制后的再调节，回路电流过大对生产的工艺影响也均已经产生，生产损失也均已造成，回路电流的反馈应对只是让后序影响及时中断，减轻影响而已。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器。
[0004]实现本专利技术目的的技术方案是：一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器，包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路，所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路，所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接，所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接；其中：所述模拟量输入电路包括V信号输入端IN0、mA信号输入端IN1、第一采样滤波电路、跳线帽J1、若干电阻以及与所述处理器连接的模拟量电压输出端Vin1，所述跳线帽J1的一引脚接地，所述跳线帽J1的另一引脚与所述V信号输入端IN0间串联电阻R8，所述第一采样滤波电路与电阻R11并联，所述第一采样滤波电路与电阻R11的并联电路同电阻R10串联于电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与地间，其中，电阻R11与地连接，所述第一采样滤波电路的输出端与所述模拟量电压输出端Vin1连接；所述功率限制电路由一功率限制电位器RP组成，所述模拟量输入电路中mA信号输入端IN1与功率限制电位器RP的活动端连接，电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与功率限制电位器RP的一固定端连接；所述缺相采集电路用于采集所述可控硅触发电路的触发状态信号。
[0005]进一步地，所述可控硅触发电路包括光电耦合单元、双向可控硅B1、若干电阻和外部可控硅连接端，所述光电耦合单元发光侧的正极端与电源VCC1连接，所述光电耦合单元发光侧的负极端串联电阻R44后与所述处理器的PWM输出口连接，所述光电耦合单元光感侧的两端中一端与双向可控硅B1的第一主端子连接、另一端串联电阻R47后与双向可控硅B1的控制极连接，双向可控硅B1的第二主端子串联电阻R53后同双向可控硅B1的第一主端子引出共同作为外部可控硅连接端。
[0006]进一步地，所述光电耦合单元包括两串联的第一双向可控硅输出光耦U8和第二双向可控硅输出光耦U9。
[0007]进一步地，所述缺相采集电路包括桥式整流电路D3、光耦U4、NPN三极管Q1和若干电阻，所述桥式整流电路D3的输入端串联电阻R26后与所述外部可控硅连接端连接，所述桥式整流电路D3的输出端与光耦U4发光侧的连接形成回路，光耦U4光感侧的正极与电源VCC2间串联电阻R19，光耦U4光感侧的负极与地间串联电阻R20，光耦U4光感侧的负极还与NPN三极管Q1的基极连接，NPN三极管Q1的集电极与电源VCC3间串联电阻R16，NPN三极管Q1的发射极接地，NPN三极管Q1的发射极引出作为连接至所述处理器的缺相采集电路输出端PHASE。
[0008]进一步地，所述单相线路可控硅触发单元的数量为三个。
[0009]进一步地，所述反馈电流输入电路包括电流信号输入端IN2、第二采样滤波电路、若干电阻以及与所述处理器连接的电压信号输出端Vin2，电流信号输入端IN2与地间串联电阻R9，电流信号输入端IN2与地间还依次串联电阻R12和电阻R13，电阻R12和电阻R13连接的一端与电压信号输出端Vin2间串联所述第二采样滤波电路。
[0010]进一步地，所述反馈电流输入电路包括电流信号输入端IN2、第二采样滤波电路、跳线帽J2、若干电阻以及与所述处理器连接的电压信号输出端Vin2，所述跳线帽J2的一引脚接地，所述跳线帽J2的另一引脚与电流信号输入端IN2间串联电阻R9，电流信号输入端IN2与地间还依次串联电阻R12和电阻R13，电阻R12和电阻R13连接的一端与电压信号输出端Vin2间串联所述第二采样滤波电路。
[0011]进一步地，所述带功率调节与功率限制的移相触发控制器还包括与所述反馈电流输入电路连接、用于调节所述反馈电流输入电路使用模式及软启动时间的DIP开关。
[0012]进一步地，所述DIP开关设有六位；第1位开关处于ON，其它位处于OFF时，为反馈电流输入模式，所述反馈电流输入电路的电流信号输入端IN2由外部获取电信号，负载回路上的电信号由电流信号输入端IN2接入，此时，所述反馈电流输入电路实时采集负载回路上的电信号，且软启动/软停止时间固定2秒；当DIP开关第1位处于OFF，第2
‑
6位开关某一位处于ON时，反馈电流输入模式停止，所述反馈电流输入电路的电流信号输入端IN2不再从外部变送器获取电信号，而是直接接入DC5V的电信号，进行切换电机软启动/软停止时间。
[0013]本专利技术带功率调节与功率限制的移相触发控制器，具有以下优点：1、通过在电阻R8与mA信号输入端IN1间设置由功率限制电位器RP构成的所述功率限制电路，以便在由mA信号输入端IN1输入的外部仪器仪表发送来的控制信号为电流信号时，通过改变所述功率限制电路的功率限制电位器RP的电阻，可控制输入到所述处理器的采集信号的大小，从而控制所述处理器PWM口输出给所述可控硅触发电路的占空比波形信号，限制控制输出，实现功率限制（即限幅）；2、通过所述反馈电流输入电路的设置，所述处理器可实时检测负载回路电流大
小，并实时作出反馈调节，从而以便在所述处理器的控制下，所述可控硅触发电路的驱动信号的功率可得以调节；3、通过所述功率限制电路的功率限制和所述反馈电流输入电路的功率调节的双重设置，可有效避免负载回路上的电流过大，而导致的负载或线路的损坏，其大大提高了线路安全，使得使用更为可靠，其不仅可适用于变阻性负载的控制中，还适用于各类感性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器，其特征在于：包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路，所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路，所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接，所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接；其中：所述模拟量输入电路包括V信号输入端IN0、mA信号输入端IN1、第一采样滤波电路、跳线帽J1、若干电阻以及与所述处理器连接的模拟量电压输出端Vin1，所述跳线帽J1的一引脚接地，所述跳线帽J1的另一引脚与所述V信号输入端IN0间串联电阻R8，所述第一采样滤波电路与电阻R11并联，所述第一采样滤波电路与电阻R11的并联电路同电阻R10串联于电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与地间，其中，电阻R11与地连接，所述第一采样滤波电路的输出端与所述模拟量电压输出端Vin1连接；所述功率限制电路由一功率限制电位器RP组成，所述模拟量输入电路中mA信号输入端IN1与功率限制电位器RP的活动端连接，电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与功率限制电位器RP的一固定端连接；所述缺相采集电路用于采集所述可控硅触发电路的触发状态信号。2.根据权利要求1所述的带功率调节与功率限制的移相触发控制器，其特征在于：所述可控硅触发电路包括光电耦合单元、双向可控硅B1、若干电阻和外部可控硅连接端，所述光电耦合单元发光侧的正极端与电源VCC1连接，所述光电耦合单元发光侧的负极端串联电阻R44后与所述处理器的PWM输出口连接，所述光电耦合单元光感侧的两端中一端与双向可控硅B1的第一主端子连接、另一端串联电阻R47后与双向可控硅B1的控制极连接，双向可控硅B1的第二主端子串联电阻R53后同双向可控硅B1的第一主端子引出共同作为外部可控硅连接端。3.根据权利要求2所述的带功率调节与功率限制的移相触发控制器，其特征在于：所述光电耦合单元包括两串联的第一双向可控硅输出光耦...

【专利技术属性】
技术研发人员：林善平，林虹灏，潘卓睿，
申请(专利权)人：福建顺昌虹润精密仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：