一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器制造技术

技术编号:36001574 阅读:70 留言:0更新日期:2022-12-17 23:19
本发明专利技术公开了一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器,包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路,所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路,所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接,所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接。本发明专利技术通过所述功率限制电路的功率限制和所述反馈电流输入电路的功率调节的双重设置,可有效避免负载回路上的电流过大,而导致的负载或线路的损坏,其适用于各类感性负载的控制中。感性负载的控制中。感性负载的控制中。

【技术实现步骤摘要】
一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器


[0001]本专利技术涉及移相触发器领域,尤其涉及一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器。

技术介绍

[0002]移相触发是可控硅的一种控制方式,其是通过控制可控硅的导通角大小来控制可控硅的导能量,从而改变负载上所加的功率;具体地,移相触发控制器接入模拟信号如0

20mA、4

20mA、0

5V、1

5V信号,根据输入的模拟信号大小,输出PWM波形信号给交流回路上的可控硅,控制可控硅的导通角,改变加载到负载上的功率。现有移相触发控制器,应用于变阻性负载如加热棒、电机等的回路控制中时,回路上电压曲线波动小,输出的电压、电流相对平滑,其适用性相对较高。但在感性负载如硅钼棒、石墨、硅碳棒等回路控制中,由于感性负载的阻值随温度或会变化或会应老化而变大,阻值越大,回路中的电流也越大,为避免随着负载电阻的增大,回路电流过大,而烧坏负载,常需控制负载回路的电流;现有少数移相触发控制器中,虽然也有设计反馈回路电流的采集,如反馈的回路电流太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带功率调节与功率限制的移相触发控制器,其特征在于:包括处理器、模拟量输入电路、单相线路可控硅触发单元、反馈电流输入电路、报警电路和功率限制电路,所述单相线路可控硅触发单元包括可控硅触发电路和缺相采集电路,所述模拟量输入电路、所述反馈电流输入电路、所述报警电路、所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路均分别与所述处理器连接,所述单相线路可控硅触发单元的所述可控硅触发电路和所述缺相采集电路连接;其中:所述模拟量输入电路包括V信号输入端IN0、mA信号输入端IN1、第一采样滤波电路、跳线帽J1、若干电阻以及与所述处理器连接的模拟量电压输出端Vin1,所述跳线帽J1的一引脚接地,所述跳线帽J1的另一引脚与所述V信号输入端IN0间串联电阻R8,所述第一采样滤波电路与电阻R11并联,所述第一采样滤波电路与电阻R11的并联电路同电阻R10串联于电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与地间,其中,电阻R11与地连接,所述第一采样滤波电路的输出端与所述模拟量电压输出端Vin1连接;所述功率限制电路由一功率限制电位器RP组成,所述模拟量输入电路中mA信号输入端IN1与功率限制电位器RP的活动端连接,电阻R8与所述V信号输入端IN0连接的一端与功率限制电位器RP的一固定端连接;所述缺相采集电路用于采集所述可控硅触发电路的触发状态信号。2.根据权利要求1所述的带功率调节与功率限制的移相触发控制器,其特征在于:所述可控硅触发电路包括光电耦合单元、双向可控硅B1、若干电阻和外部可控硅连接端,所述光电耦合单元发光侧的正极端与电源VCC1连接,所述光电耦合单元发光侧的负极端串联电阻R44后与所述处理器的PWM输出口连接,所述光电耦合单元光感侧的两端中一端与双向可控硅B1的第一主端子连接、另一端串联电阻R47后与双向可控硅B1的控制极连接,双向可控硅B1的第二主端子串联电阻R53后同双向可控硅B1的第一主端子引出共同作为外部可控硅连接端。3.根据权利要求2所述的带功率调节与功率限制的移相触发控制器,其特征在于:所述光电耦合单元包括两串联的第一双向可控硅输出光耦...

【专利技术属性】
技术研发人员:林善平林虹灏潘卓睿
申请(专利权)人:福建顺昌虹润精密仪器有限公司
类型:发明
国别省市:

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