研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法技术方案

本发明专利技术提供一种研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法。该研磨时间的修正方法及系统中，首先获取前道研磨平台研磨第一晶圆的第一研磨时间设定值、前道研磨平台研磨第二晶圆的第二研磨时间设定值以及第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间，然后计算第二研磨时间设定值与第一研磨时间设定值之差获得第一时间差，计算第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间与第二研磨时间设定值之差获得第二时间差，且根据前道研磨平台的预定去除厚度和当下研磨速率、以及第一和第二时间差，计算出前道研磨平台研磨第三晶圆的研磨时间设定值。如此可以实现研磨时间的自动修正且提高研磨设备的产能。隔离结构的制作方法包括研磨时间的修正方法。修正方法。修正方法。

【技术实现步骤摘要】
研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种研磨时间的修正方法、一种研磨时间的修正系统和一种隔离结构的制作方法。

技术介绍

[0002]在现有的半导体工艺中，化学机械研磨工艺（CMP）是一项非常重要的工艺。以制作隔离结构为例，一般在晶圆上沉积隔离介质层，隔离介质层填充晶圆中的浅沟槽以及覆盖晶圆的顶表面，再利用研磨设备对隔离介质层进行化学机械研磨，以形成隔离结构。
[0003]图1为一种研磨设备的结构示意图。如图1所示，该研磨设备具有三个研磨平台、一个转换平台104和四个研磨头200。利用该研磨设备研磨晶圆上的隔离介质层时，晶圆从转换平台104转移到第一个研磨平台101，第一个研磨平台101研磨结束后，晶圆转移到第二个研磨平台102，第二个研磨平台102研磨结束后转移到第三个研磨平台103，第三个研磨平台103研磨结束后，再次转换到转换平台104以移出晶圆，至此对隔离介质层的化学机械研磨处理完成。
[0004]目前在利用上述研磨设备对晶圆上的隔离介质层进行化学机械研磨时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨时间的修正方法，用于修正与设定研磨设备中研磨平台的研磨时间，所述研磨设备包括n个研磨平台，n为大于等于2的正整数，利用所述研磨设备对多片晶圆进行化学机械研磨时，每片所述晶圆依次经过所述n个研磨平台，第一个研磨平台至第n
‑
1个研磨平台均称为前道研磨平台，每个所述前道研磨平台研磨同一片晶圆的研磨时间设定值相等，其特征在于，所述研磨时间的修正方法包括：步骤S1，获取所述前道研磨平台研磨第一晶圆的第一研磨时间设定值、所述前道研磨平台研磨第二晶圆的第二研磨时间设定值以及第n个研磨平台研磨所述第二晶圆的研磨时间，所述第一晶圆在所述第二晶圆之前研磨；步骤S2，计算所述第二研磨时间设定值与所述第一研磨时间设定值之差获得第一时间差，计算所述第n个研磨平台研磨所述第二晶圆的研磨时间与所述第二研磨时间设定值之差获得第二时间差；根据所述前道研磨平台的预定去除厚度、所述前道研磨平台的当下研磨速率、所述第一时间差和所述第二时间差，计算出第三研磨时间设定值；以及步骤S3，将所述第三研磨时间设定值设定为所述前道研磨平台研磨第三晶圆的研磨时间设定值。2.如权利要求1所述的研磨时间的修正方法，其特征在于，所述修正方法包括循环执行步骤S1至步骤S3，使得所述n个研磨平台研磨后续晶圆的研磨时间均衡；在步骤S2中，使用所述第二时间差与设定修正系数之积计算所述第三研磨时间设定值，所述设定修正系数小于1。3.如权利要求1所述的研磨时间的修正方法，其特征在于，所述第一晶圆为第m
‑
2n片晶圆，所述第二晶圆为第m
‑
n片晶圆，所述第三晶圆为第m片晶圆，m为大于n的正整数；所述第三研磨时间设定值T
m
满足公式：；其中，Amount为每个所述前道研磨平台的预定去除厚度；PR为每个所述前道研磨平台的当下研磨速率；ΔT1为所述第一时间差；ΔT2为所述第二时间差；A为根据所述第n个研磨平台与所述前道研磨平台的研磨速率比值设定的补偿系数，B为设定修正系数。4.如权利要求3所述的研磨时间的修正方法，其特征在于，当m
‑
2n>0时，ΔT1=T
m
‑
n
‑
T
m
‑
2n
，其中，T
m
‑
n
为所述前道研磨平台研磨所述第二晶圆的第二研磨时间设定值，T
m
‑
2n
为所述前道研磨平台研磨所述第一晶圆的第一研磨时间设定值；当m
‑
2n≤0时，ΔT1=0。5.如权利要求1所述的研磨时间的修正方法，其特征在于，所述前道研磨平台的当下研磨速率根据所述前道研...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，胡亚东，彭萍，蔡富吉，程建秀，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：